到達目標
1.pn接合(階段接合)のバイアス電流を説明できる
2.ショットキー接触とオーム性接触の違いを説明できる
3.集積回路の基本構造と製作技術の基礎について説明できる
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | pn接合(階段接合)のバイアス電流を正しく説明できる | pn接合(階段接合)のバイアス電流を説明できる | pn接合(階段接合)のバイアス電流を説明できない |
評価項目2 | ショットキー接触とオーム性接触の違いを正しく説明できる | ショットキー接触とオーム性接触の違いを説明できる | ショットキー接触とオーム性接触の違いを説明できない |
評価項目3 | 集積回路の基本構造と製作技術の基礎について正しく説明できる | 集積回路の基本構造と製作技術の基礎について説明できる | 集積回路の基本構造と製作技術の基礎について説明できない |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 A-6
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JABEE 1(2)(d)(1)
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JABEE 1(2)(e)
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ディプロマポリシー DP2
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教育方法等
概要:
1.pn接合(階段接合)のバイアス電流を説明できる
2.ショットキー接触とオーム性接触の違いを説明できる
3.集積回路の基本構造と製作技術の基礎について説明できる
授業の進め方・方法:
講義および演習をおこなう.適宜,課題演習に時間を充てる.
注意点:
授業計画は学生の理解度に応じて変更することがある
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
後期 |
3rdQ |
1週 |
半導体の電気伝導 |
不純物半導体の電気伝導について知る
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2週 |
pn接合のもつ整流性 |
pn接合の動作について知る
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3週 |
pn接合のもつ整流性 |
pn接合におけるキャリアの移動とエネルギーバンドの構造の関係を理解する
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4週 |
pn接合の電圧電流特性 |
pn接合(階段接合)の電圧と電流の関係に関する基礎方程式を知る
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5週 |
pn接合の電圧電流特性 |
pn接合の電圧と電流の関係式を理解する
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6週 |
pn接合の電圧電流特性 |
pn接合の電圧と電流の関係を定量的に示す。降伏現象など実際のデバイスとの違いについて知る。
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7週 |
中間試験 |
中間試験を解く
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8週 |
中間試験の解答、pn接合の電圧電流特性 |
pn接合の電圧と電流の関係および少数キャリア蓄積効果について知る
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4thQ |
9週 |
金属半導体接合 |
ショットキーバリア接触とオーム性接触の違いについて,またその動作をエネルギーバンド図を描いて示す
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10週 |
光電変換固体素子 |
光電エネルギー変換とpn接合の関係について知る
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11週 |
光電変換固体素子 |
光電エネルギー変換素子の利用方法を知る
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12週 |
バイポーラトランジスタ |
バイポーラトランジスタの動作をエネルギーバンド図を用いて理解する
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13週 |
電界効果型トランジスタ |
電界効果型トランジスタの動作をエネルギーバンド図を用いて理解する
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14週 |
半導体素子の製造と集積回路 |
集積回路製作技術の基礎について知る
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15週 |
期末試験 |
期末試験を解く
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16週 |
試験解答 |
答案返却
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
総合評価割合 | 70 | 0 | 0 | 0 | 0 | 30 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 70 | 0 | 0 | 0 | 0 | 30 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |