到達目標
21世紀高度情報化社会は、マイクロプロセッサと半導体メモリの集積回路なくして成立しない。これまで学んできた電機関連科目の知識をもとに、エネルギーバンドの概念を導入して、集積回路の基礎となる半導体デバイスの動作原理を学習し、工学に応用する方法を習得する。具体的には以下の項目を目標とする。①半導体基礎物性について理解する②PN接合について理解する
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 半導体基礎物性に関する言葉を自分で説明できる | 半導体基礎物性に関する問題をほぼ正確(6割以上)に解くことができる | 半導体基礎物性に関する問題をほぼ正確(6割以上)に解くことができない |
評価項目2 |
PN接合の減少について自分の言葉で説明できる | PN接合に関する問題をほぼ正確(6割以上)に解くことができる | PN接合に関する問題をほぼ正確(6割以上)に解くことができない |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
授業の進め方・方法:
授業は, 教科書, 配布プリントと板書を中心に行うので,各自学習ノー充実させること。
注意点:
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
半導体とは |
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2週 |
シリコン結晶中でのキャリア発生1 |
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3週 |
シリコン結晶中でのキャリア発生2 |
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4週 |
キャリアの散乱メカニズム |
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5週 |
ドリフト・拡散現象・半導体物性を記述する基礎方程式 |
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6週 |
演習 |
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7週 |
中間試験 |
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8週 |
P型半導体とN型半導体を接合する |
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2ndQ |
9週 |
段階型PN接合 |
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10週 |
線形傾斜型接合・空乏層中におけるキャリア濃度 |
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11週 |
理想ダイオードの電流電圧特性 |
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12週 |
実際のダイオードの電流電圧特性 |
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13週 |
薄いベース層を持つPN接合ダイオード |
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14週 |
演習 |
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15週 |
試験の解説 |
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16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 制御 | フィードバックシステムの安定判別法について説明できる。 | 1 | |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
総合評価割合 | 80 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20 | 100 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 80 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20 | 100 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |