到達目標
21世紀高度情報化社会は、マイクロプロセッサと半導体メモリの集積回路なくしては成立しない。これまで学んできた電気関連科目の知識をもとに、エネルギーバンドの概念を導入して、集積回路の基礎となる半導体デバイスの動作原理を学習し、工学に応用する方法を習得する。具体的には以下の項目を目標とする。①金属と半導体の接合について理解する②MOSトランジスタについて理解する③MOSトランジスタのモデルを説明できる
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | ショットキー接合についてバンド図を用いて自分の言葉で現象を説明できる | 金属と半導体の接合に関する問題をほぼ正確(６割以上)に解くことができる | 金属と半導体の接合に関する問題をほぼ正確(6割以上9に解くことができない |
| 評価項目2 | MOSFETの現象について自分の言葉で説明できる | MOSトランジスタに関する問題をほぼ正確(６割以上)に解くことができる | MOSトランジスタに関する問題をほぼ正確(６割以上)に解くことができない |
| 評価項目3 | MOSトランジスタについてのモデルをたて自分の言葉で説明しまとめることができる | MOSトランジスタのモデルをたてることができる | MOSトランジスタのモデルを耐たてることができない |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
授業の進め方・方法:
授業は， 教科書， 配布プリントと板書を中心に行うので，各自学習ノー充実させること。
注意点:
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
金属と半導体の接合・ショットキー障壁の高さ |
|
| 2週 |
ショットキーダイオードの電流電圧特性・オーミック接触 |
|
| 3週 |
演習 |
|
| 4週 |
中間試験 |
|
| 5週 |
MOSトランジスタの動作原理 |
|
| 6週 |
MOS構造の解析 |
|
| 7週 |
MOSトランジスタの電流電圧特性 |
|
| 8週 |
簡略化した電流電圧特性 |
|
| 4thQ |
| 9週 |
基板バイアス効果 |
|
| 10週 |
サブスレッショルド特性 |
|
| 11週 |
MOSキャパシタのC-V特性 |
|
| 12週 |
MOSトランジスタ各部の容量 |
|
| 13週 |
演習 |
|
| 14週 |
総まとめおよび期末試験対策 |
|
| 15週 |
期末試験の解説 |
|
| 16週 |
|
|
モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 80 | 0 | 0 | 0 | 0 | 20 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |