| 理想的な到達レベル(優)の目安 | 標準的な到達レベル(良)の目安 | 未到達レベル(不可)の目安 |
評価項目1 | MIS構造、MOS構造ダイオードの動作を理解し、それを用いたMOSFETの動作原理・特性に関する問題を8割以上解くことができる。 | MIS構造、MOS構造ダイオードの動作を理解し、それを用いたMOSFETの動作原理・特性に関する問題を7割以上解くことができる。 | MIS構造、MOS構造ダイオードの動作をよく理解していない。それを用いたMOSFETの動作原理・特性に関する問題を6割未満しか解くことができない。 |
評価項目2 | pn接合を用いたダイオード、バイポーラトランジスタ、サイリスタなどの電子デバイスの動作原理・特性を理解し、これに関する問題を8割以上解くことができる。 | pn接合を用いたダイオード、バイポーラトランジスタ、サイリスタなどの電子デバイスの動作原理・特性を理解し、これに関する問題を7割以上解くことができる。 | pn接合を用いたダイオード、バイポーラトランジスタ、サイリスタなどの電子デバイスの動作原理・特性を理解していない。これに関する問題を6割未満しか解くことができない。 |
評価項目3 | MOSFETなどを用いた集積回路の基本的な構造やデバイスプロセスを理解し、これに関する問題を8割以上解くことができる。 | MOSFETなどを用いた集積回路の基本的な構造やデバイスプロセスを理解し、これに関する問題を7割以上解くことができる。 | MOSFETなどを用いた集積回路の基本的な構造やデバイスプロセスを理解していない。これに関する問題を6割未満しか解くことができない。 |
評価項目4 | 半導体光デバイスの発光・受光の原理やデバイスの基本的な構造や特性を理解し、これに関する問題を8割以上解くことができる。 | 半導体光デバイスの発光・受光の原理やデバイスの基本的な構造や特性を理解し、これに関する問題を7割以上解くことができる。 | 半導体光デバイスの発光・受光の原理やデバイスの基本的な構造や特性を理解していない。これに関する問題を6割未満しか解くことができない。 |