到達目標
以下の項目を目標とする。
①エネルギーバンドの概念を理解する
②エネルギーバンドを用いた電子デバイス動作の原理を理解する
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | エネルギーバンドの概念に関する言葉を自分で説明できる | エネルギーバンドの概念に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができる | エネルギーバンドの概念に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができない |
評価項目2 | エネルギーバンドを用いた電子デバイス動作の原理について自分の言葉で説明できる | エネルギーバンドを用いた電子デバイス動作の原理に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができる | エネルギーバンドを用いた電子デバイス動作の原理に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができない |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
21世紀高度情報化社会は、マイクロプロセッサと半導体メモリ等の集積回路がハードウェアの根幹をなし、その上で各種プログラムが膨大な情報処理、大容量の情報通信を行うことにより成り立っている。これまで学んできた電気・電子関連科目の知識を基に、エネルギーバンドの概念を導入して半導体物性を学ぶとともに、集積回路の基礎となる半導体デバイスの動作原理を学習し、電子回路設計や半導体工学に応用する方法を習得する。
※実務との関係
この科目は、企業で光学測定や物性測定技術の研究開発を担当していた教員が、その経験を活かし、半導体物性や半導体デバイスについて講義形式で授業を行うものである。
授業の進め方・方法:
授業は,教科書,配布プリントと板書を中心に行う。
注意点:
各自学習ノートを充実させること。また指定された学内ファイルサーバも参考にすること。なお、成績評価に教室外学修の内容は含まれる。
学習・教育目標:(D-4)100%
JABEE基準1(1):(d)
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
後期 |
3rdQ |
1週 |
CPU開発の歴史 |
CPUの歴史を知る (教室外学修)CPU,メモリの開発の歴史をを調べる
|
2週 |
半導体プロセス(ALのレベルC) |
半導体プロセスを理解する (教室外学修)半導体プロセスに関する演習
|
3週 |
MOSFETの構造と動作原理Ⅰ |
MOSFETの構造を理解する (教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
|
4週 |
MOSFETの構造と動作原理Ⅱ |
MOSFETの動作原理を理解する (教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
|
5週 |
MOSFETの電気的特性 |
MOSFETの電気的特性を理解する (教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
|
6週 |
MOSFETの性能を表すパラメータ |
MOSFETの性能パラメータについて理解する (教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
|
7週 |
MOSFETでの諸現象 |
MOSFETの諸現象について理解する (教室外学修)MOSFETに関する演習
|
8週 |
中間試験 |
|
4thQ |
9週 |
半導体の発光・受光の原理 |
半導体の発光・受光の原理を理解する (教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
|
10週 |
発光素子(LED) |
LEDについて理解する (教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
|
11週 |
発光素子(LD) |
LDについて理解する (教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
|
12週 |
受光素子(PD) |
PDについて理解する (教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
|
13週 |
受光素子(SC) |
SCについて理解する (教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
|
14週 |
半導体素子評価法(ALのレベルC) |
半導体素子評価法について理解する (教室外学修)半導体素子評価に関する演習
|
15週 |
期末試験 |
|
16週 |
半導体デバイスの総まとめ |
|
モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 中間試験 | 期末試験 | 課題レポート | 合計 |
総合評価割合 | 100 | 100 | 50 | 250 |
基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 |
専門的能力 | 100 | 100 | 50 | 250 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 |