電子デバイスⅠ

科目基礎情報

学校 岐阜工業高等専門学校 開講年度 平成29年度 (2017年度)
授業科目 電子デバイスⅠ
科目番号 0248 科目区分 専門 / 必修
授業形態 講義 単位の種別と単位数 学修単位: 1
開設学科 電子制御工学科 対象学年 5
開設期 前期 週時間数 1
教科書/教材 絵から学ぶ半導体デバイス工学(谷口研二・朝倉書店)
担当教員 臼井 敏男

目的・到達目標

以下の項目を目標とする。
①半導体物性の基礎について理解する
②PN 接合について理解する

ルーブリック

理想的な到達レベルの目安標準的な到達レベルの目安未到達レベルの目安
評価項目1半導体基礎物性に関する言葉を自分で説明できる半導体基礎物性に関する問題をほぼ正確(6割以上)に解くことができる半導体基礎物性に関する問題をほぼ正確(6割以上)に解くことができない
評価項目2PN接合の現象について自分の言葉で説明できるPN接合に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができるPN接合に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができない

学科の到達目標項目との関係

教育方法等

概要:
21世紀高度情報化社会は,マイクロプロセッサと半導体メモリの集積回路なくして成立しない。これまで学んできた電気関連科目の知識を基に,エネルギーバンドの概念を導入して,集積回路の基礎となる半導体デバイスの動 作原理を学習し,工学に応用する方法を習得す る。
授業の進め方と授業内容・方法:
授業は,教科書,配布プリントと板書を中心に行う。
注意点:
各自学習ノートを充実させるこ と。また指定された学内ファイルサーバも参考にすること。
学習・教育目標:(D-4)100%
JABEE基準1(1):(d)

授業計画

授業内容・方法 週ごとの到達目標
前期
1stQ
1週 半導体とは 半導体の基礎を理解する
(教室外学修)ノートの復習
2週 半導体物性の基礎Ⅰ(光の粒子性と波動性) 光の性質について理解する
(教室外学修)ノートの復習
3週 半導体物性の基礎Ⅱ(電子とその性質) 電子とその性質について理解する
(教室外学修)ノートの復習
4週 半導体物性の基礎Ⅲ(水素スペクトルと原子構造) 水素スペクトルと原子構造について理解する
(教室外学修)ノートの復習
5週 半導体物性の基礎Ⅳ(結晶構造) 各種結晶構造について理解する
(教室外学修)ノートの復習
6週 半導体物性の基礎Ⅴ(エネルギーバンド) エネルギーバンドについて理解する
(教室外学修)ノートの復習
7週 半導体物性の基礎のまとめ(ALのレベルC) (教室外学修)半導体物性の基礎に関する演習
8週 中間試験
2ndQ
9週 シリコン基板中における電子輸送Ⅰ シリコン基板中の電子の移動について理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
10週 シリコン基板中における電子輸送Ⅱ シリコン基板中の電子搬送について理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
11週 PN接合とは何か PN接合について理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
12週 PN接合の電流電圧特性Ⅰ PN接合の電流電圧特性について理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
13週 PN接合の電流電圧特性Ⅱ PN接合の電流電圧特性について理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
14週 PN接合の電気容量と破壊現象 PN接合の電気容量、破壊現象について理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
15週 PN接合のまとめ
16週

評価割合

中間試験期末試験課題合計
総合評価割合10010050250
基礎的能力0000
専門的能力10010050250
分野横断的能力0000