電子デバイスⅡ

科目基礎情報

学校 岐阜工業高等専門学校 開講年度 平成29年度 (2017年度)
授業科目 電子デバイスⅡ
科目番号 0261 科目区分 専門 / 選択
授業形態 講義 単位の種別と単位数 学修単位: 1
開設学科 電子制御工学科 対象学年 5
開設期 後期 週時間数 1
教科書/教材 絵から学ぶ半導体デバイス工学(谷口研二・朝倉書店)
担当教員 臼井 敏男

目的・到達目標

以下の項目を目標とする。
①エネルギーバンドの概念を理解する
②エネルギーバンドを用いた電子デバイス動作の原理を理解する

ルーブリック

理想的な到達レベルの目安標準的な到達レベルの目安未到達レベルの目安
評価項目1エネルギーバンドの概念に関する言葉を自分で説明できるエネルギーバンドの概念に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができるエネルギーバンドの概念に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができない
評価項目2エネルギーバンドを用いた電子デバイス動作の原理について自分の言葉で説明できるエネルギーバンドを用いた電子デバイス動作の原理に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができるエネルギーバンドを用いた電子デバイス動作の原理に関する問題をほぼ正確(6 割以上)に解くことができない

学科の到達目標項目との関係

教育方法等

概要:
21世紀高度情報化社会は,マイクロプロセッサと半導体メモリの集積回路なくして成立しない。これまで学んできた電気関連科目の知識を基に,エネルギーバンドの概念を導入し て,集積回路の基礎となる半導体デバイスの動 作原理を学習し,工学に応用する方法を習得す る。
授業の進め方と授業内容・方法:
授業は,教科書,配布プリントと板書を中心に行う。
注意点:
各自学習ノートを充実させるこ と。また指定された学内ファイルサーバも参考にすること。成績評価に教室外学修の内容は含まれる。
学習・教育目標:(D-4)100%
JABEE基準1(1):(d)

授業計画

授業内容・方法 週ごとの到達目標
後期
3rdQ
1週 CPU開発の歴史 CPUの歴史を知る
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
2週 半導体プロセス(ALのレベルC) 半導体プロセスを理解する
(教室外学修)半導体プロセスに関する演習
3週 MOSFETの構造と動作原理Ⅰ MOSFETの構造を理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
4週 MOSFETの構造と動作原理Ⅱ MOSFETの動作原理を理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
5週 MOSFETの電気的特性 MOSFETの電気的特性を理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
6週 MOSFETの性能を表すパラメータ MOSFETの性能パラメータについて理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
7週 MOSFETでの諸現象 MOSFETの諸現象について理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
8週 MOSFETのまとめ(ALのレベルC) (教室外学修)MOSFETに関する演習
4thQ
9週 半導体の発光・受光の原理 半導体の発光・受光の原理を理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
10週 発光素子(LED) LEDについて理解する(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
11週 発光素子(LD) LDについて理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
12週 受光素子(PD) PDについて理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
13週 受光素子(SC) SCについて理解する
(教室外学修)教科書の予習復習、ノートの復習
14週 半導体素子評価法(ALのレベルC) 半導体素子評価法について理解する
(教室外学修)半導体素子評価に関する演習
15週 半導体デバイスの総まとめ
16週

評価割合

期末試験平常試験課題合計
総合評価割合100050150
基礎的能力0000
専門的能力10050~10050150
分野横断的能力0000