| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 不可 |
時間に依存しないシュレディンガー方程式を記述できる。
量子力学の簡単なポテンシャル問題を解くことができる。
状態密度について説明することができる。 | 時間に依存しないシュレディンガー方程式を記述できる。
量子力学の簡単なポテンシャル問題を解くことができる。
状態密度について説明することができ、2次元、3次元の状態密度を導出できる。 | 時間に依存しないシュレディンガー方程式を記述できる。
量子力学の簡単なポテンシャル問題を解くことができる。
状態密度について説明することができる。 | 時間に依存しないシュレディンガー方程式を記述できない。
量子力学の簡単なポテンシャル問題を解くことができない。
状態密度について説明することができない。 |
フェルミ分布関数を数式で書くことができる。
フェルミ分布関数のグラフが書ける。フェルミ分布関数の物理的意味を説明できる。 | フェルミ分布関数を数式で書くことができる。
フェルミ分布関数のグラフが書ける。フェルミ分布関数の物理的意味を説明できる。 | フェルミ分布関数を数式で書くことができる。
フェルミ分布関数のグラフが書ける。 | フェルミ分布関数を数式で書くことができない。
フェルミ分布関数のグラフが書けない。フェルミ分布関数の物理的意味を説明できない。 |
半導体のキャリア濃度の温度依存性を説明できる。 | 半導体のキャリア濃度の温度依存性を数式を用いて説明できる。 | 半導体のキャリア濃度の温度依存性を説明できる。 | 半導体のキャリア濃度の温度依存性を説明できない。 |
連続の方程式について説明できる。 | 連続の方程式について数式を用いて説明できる。 | 連続の方程式について説明できる。 | 連続の方程式について説明できない。 |
スピントロニクスの代表的なデバイスであるTMR(トンネル磁気抵抗)素子の構造を図示できる。
外部磁場に対する、トンネル抵抗および磁化のグラフの概形を図示できる。
TMR効果の概要を説明することができる。 | スピントロニクスの代表的なデバイスであるTMR(トンネル磁気抵抗)素子の構造を図示できる。
外部磁場に対する、トンネル抵抗および磁化のグラフの概形を図示できる。
TMR効果の概要を説明することができる。 | スピントロニクスの代表的なデバイスであるTMR(トンネル磁気抵抗)素子の構造を図示できる。
TMR効果の概要を説明することができる。 | スピントロニクスの代表的なデバイスであるTMR(トンネル磁気抵抗)素子の構造を図示できない。
外部磁場に対する、トンネル抵抗および磁化のグラフの概形を図示できない。
TMR効果の概要を説明することができない。 |
半導体接合(pn接合、トランジスタ)について説明できる。 | 半導体接合(pn接合、トランジスタ)について数式を用いて説明できる。 | 半導体接合(pn接合、トランジスタ)について説明できる。 | 半導体接合(pn接合、トランジスタ)について説明できない。 |