到達目標
前半の授業では、半導体の基礎特性と6種類のデバイスの基本的特性について理解すること。 後半の授業では、単相及び三相全波整流回路を理解すること。また、インバータ回路では、原理を理解し、ブリッジ型、PWM回路まで理解すること。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 半導体の基礎特性と6種類のデバイスの基本的特性について理解する | | | |
| 単相及び三相全波整流回路を理解する | | | |
| インバータ回路では、原理を理解し、ブリッジ型、PWM回路まで理解する | | | |
学科の到達目標項目との関係
【本校学習・教育目標（本科のみ）】 2
説明
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教育方法等
概要:
電力用ダイオード、サイリスタ、GTO、IGBTなどのパワーデバイスが目ざましい進化を遂げ、電力の変換、制御を応用した「パワーエレクトロニクス」の分野は格段に広がっている。エアコン、蛍光灯からソーラー発電、ロボットそして新幹線などである。半期の本講義においては、主に6種類のパワーデバイスと整流回路、インバータの基本回路について、図表や演習問題を多数用いながら講義を進め、着実な理解を深める。
授業の進め方・方法:
講義と演習（レポート）による授業を行う。
注意点:
1.試験や課題レポート等は、JABEE 、大学評価・学位授与機構、文部科学省の教育実施検査に使用することがあります。
2.授業参観される教員は当該授業が行われる少なくとも1週間前に教科目担当教員へ連絡してください。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
パワーエレクトロニクス |
パワーエレクトロニクスとは (パワーデバイス、電力制御、インバータ制御 など)
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| 2週 |
パワー半導体 |
半導体の基礎特性と電力用ダイオード
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| 3週 |
パワーデバイス（１） |
パワートランジスタ
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| 4週 |
パワーデバイス（２） |
パワーMOSFET
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| 5週 |
パワーデバイス（３） |
IGBT
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| 6週 |
パワーデバイス（４） |
サイリスタの基礎特性とGTO
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| 7週 |
パワーデバイス（５） |
パワーエレクトロニクスの周辺技術 (IPM、冷却方式)
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| 8週 |
中間試験 |
到達度チェック (後期中間試験)
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| 4thQ |
| 9週 |
整流回路（１） |
単相整流回路の基礎
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| 10週 |
整流回路（２） |
単相全波整流回路
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| 11週 |
整流回路（３） |
三相整流回路
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| 12週 |
インバータ（１） |
インバータ回路の原理
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| 13週 |
インバータ（２） |
種々のインバータ回路 (ブリッジ形、PWM など)
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| 14週 |
インバータ（３） |
インバータと高周波障害
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| 15週 |
後期末試験 |
期末試験を実施
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| 16週 |
まとめ |
試験解説・授業アンケート
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 課題レポート | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 10 | 0 | 10 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 40 | 5 | 0 | 5 | 0 | 0 | 50 |
| 専門的能力 | 40 | 5 | 0 | 5 | 0 | 0 | 50 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |