| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| １．配位化合物の命名法と異性体について覚え、正しく答えられる。 | □複雑な配位子の名称を記述できる
□日本語で複雑な配位化合物の名称を答えることができる
□名称から複雑な配位化合物の化学式を答えることができる
□構造異性体、連結異性体光学異性体の構造を書くことができる | □基本的な配位子の名称を記述できる
□日本語で基本的な配位化合物の名称を答えることができる
□名称から基本的な配位化合物の化学式を答えることができる
□構造異性体の名称と構造を書くことができる | □基本的な配位子の名称を記述できない
□日本語で基本的な配位化合物の名称を答えられない
□名称から基本的な配位化合物の化学式を答えられない
□構造異性体の名称と構造を書くことができない |
| ２． 配位化合物の物理化学的性質について論理的に説明できる(C1-2)。 | □結晶場理論を用いて結晶場安定化エネルギーを計算できる
□錯体の光吸収の原因を説明できる
□錯体の磁性を説明でき、磁気モーメントの計算ができる | □結晶場理論を説明できる
□錯体の光吸収の原因を挙げることができる
□錯体の磁性を説明できる | □結晶場理論を説明できない
□錯体の光吸収の原因を挙げるができない
□錯体の磁性を説明できない |
| ３． 配位化合物の安定性について、論理的に説明できる (C1-2)。 | □錯体の逐次安定度定数から全安定度定数を計算できる
□錯体の安定度の要因を複数論理的に説明できる
□キレート効果を熱力学的な式を利用して説明できる | □錯体の安定度定数を計算できる
□錯体の安定度の要因を論理的に一つ以上説明できる
□キレート効果を説明できる | □錯体の安定度定数を計算できない
□錯体の安定度の要因を論理的に説明できない
□キレート効果を説明できない |
| ４．配位化合物の反応性について、論理的に説明できる(C1-2)。 | □配位子置換反応の反応機構を全て説明できる
□トランス効果を利用して反応経路を書くことができる
□電子移動反応の反応機構を全て説明できる | □配位子置換反応の反応機構を１つ以上説明できる
□トランス効果を説明できる
□電子移動反応の反応機構を１つ以上説明できる | □配位子置換反応の反応機構を１つも説明できない
□トランス効果を説明できない
□電子移動反応の反応機構を１つも説明できない |
| ５． カルボニル錯体の特徴を説明できる。 | □カルボニル錯体間の安定性を18電子則を用いて比較できる
□カルボニル錯体における結合の様子を逆供与を踏まえて図示できる | □カルボニル錯体が１８電子則で安定であることを説明できる
□逆供与を説明できる | □カルボニル錯体の安定性と１８電子則の関係を説明できない
□逆供与を説明できない |