| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 時間に依存しないシュレディンガー方程式を記述できる。
量子力学の簡単なポテンシャル問題を解くことができる。
状態密度について説明することができる。
| 時間に依存しないシュレディンガー方程式を記述できる。
量子力学の簡単なポテンシャル問題を解くことができ、固有値、固有関数を図示できる。
3次元の井戸型ポテンシャル問題から、状態密度を導出することができ、さらに2次元での状態密度を導出できる。
| 時間に依存しないシュレディンガー方程式を記述できる。
量子力学の簡単なポテンシャル問題を解くことができる。
状態密度について説明することができる。
| 時間に依存しないシュレディンガー方程式を記述できない。
量子力学の簡単なポテンシャル問題を解くことができない。
状態密度について説明することができない。
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| 水素原子の基底エネルギーを、単位換算を含め正しく計算できる。 | 水素原子のシュレディンガー方程式から、基底エネルギーを導出できる。
基底エネルギーの単位換算を正しくおこなえる。 | 水素原子の基底エネルギーを、単位換算を含め正しく計算できる。 | 水素原子の基底エネルギーを、単位換算を含め正しく計算できない。 |
| 簡単な結晶構造とその結晶の回折現象について、説明することができる。
いくつかの結晶結合について、その違い、特徴を説明することができる。 | 簡単な結晶構造とその結晶の回折現象について、わかりやすく説明することができる。
いくつかの結晶結合について、その違い、特徴をわかりやすく説明することができる。 | 簡単な結晶構造とその結晶の回折現象について、説明することができる。
いくつかの結晶結合について、その違い、特徴を説明することができる。 | 簡単な結晶構造とその結晶の回折現象について、説明することができない。
いくつかの結晶結合について、その違い、特徴を説明することができない。 |
| フェルミ分布関数を数式で書くことができる。
フェルミ分布関数のグラフが書ける。フェルミ分布関数の物理的意味を説明できる。 | フェルミ分布関数を数式で書くことができる。
絶対零度、有限温度それぞれにおいて、エネルギーに対するフェルミ分布関数の値をグラフに書くことができる。
フェルミ分布関数の物理的な意味をわかりやすく説明できる。
フェルミ分布関数の特徴を、複数挙げることができる。
| フェルミ分布関数を数式で書くことができる。
フェルミ分布関数のグラフが書ける。フェルミ分布関数の物理的意味を説明できる。
| フェルミ分布関数を数式で書くことができない。
フェルミ分布関数のグラフが書けない。フェルミ分布関数の物理的意味を説明できない。
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| 自由電子フェルミ気体により、簡単な金属の性質（伝導性、比熱等）を説明することができる。
| 自由電子フェルミ気体により、簡単な金属の性質（伝導性、比熱等）を数式を用いてわかりやすく説明することができる。
| 自由電子フェルミ気体により、簡単な金属の性質（伝導性、比熱等）を説明することができる。
| 自由電子フェルミ気体により、簡単な金属の性質（伝導性、比熱等）を説明することができない。
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| スピントロニクスの代表的なデバイスであるTMR（トンネル磁気抵抗）素子の構造を図示できる。
外部磁場に対する、トンネル抵抗および磁化のグラフの概形を図示できる。
TMR効果の概要を説明することができる。(B1-4)
| スピントロニクスの代表的なデバイスであるTMR（トンネル磁気抵抗）素子の構造を図示できる。
外部磁場に対する、トンネル抵抗および磁化のグラフを正しく図示できる。
状態密度模型を用いて、TMR効果を理論的にわかりやすく説明することができる。
| スピントロニクスの代表的なデバイスであるTMR（トンネル磁気抵抗）素子の構造を図示できる。
外部磁場に対する、トンネル抵抗および磁化のグラフの概形を図示できる。
TMR効果の概要を説明することができる。
| スピントロニクスの代表的なデバイスであるTMR（トンネル磁気抵抗）素子の構造を図示できない。
外部磁場に対する、トンネル抵抗および磁化のグラフの概形を図示できない。
TMR効果の概要を説明することができない。
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