電気基礎実験

科目基礎情報

学校	豊田工業高等専門学校	開講年度	平成29年度 (2017年度)
授業科目	電気基礎実験
科目番号	72342	科目区分	専門 / 必修
授業形態	実験	単位の種別と単位数	履修単位: 4
開設学科	電気・電子システム工学科	対象学年	2
開設期	通年	週時間数	4
教科書/教材	実験指導書(豊田高専電気・電子システム工学科作成)
担当教員	大野 亙,光本 真一,及川 大

到達目標

(ア)電気基礎実験の基本的器具(直流電源，発振器，オシロスコープ)を正しく使用する事が出来る。
(イ)授業で学習した直流・交流回路および論理回路の基本的性質を実験し，定性的に理解する。
(ウ)実験に必要な測定回路を組み立て，正しく動作させることが出来る。
(エ)実験を通して，基本的な電気量の測定をする事が出来る。
(オ)基本的な実験レポートを書くことが出来る。
(カ)実験の内容をレポートにまとめて，指定した日時までに提出することが出来る。

ルーブリック

	理想的な到達レベルの目安	標準的な到達レベルの目安	未到達レベルの目安
評価項目(ア)	気基礎実験の基本的器具を正しく使用する事が出来、実験に必要な測定回路を組み立て，正しく動作させることが出来る。	電気基礎実験の基本的器具を正しく使用する事が出来る。	電気基礎実験の基本的器具を使用する事が出来ない。
評価項目(イ)	直流・交流回路および論理回路の基本的性質を実験し，定性的に理解するとともに、基本的な電気量の測定をする事が出来る。	直流・交流回路および論理回路の基本的性質を実験し，定性的に理解出来る。	直流・交流回路および論理回路の基本的性質を実験し，定性的に理解出来ない。
評価項目(ウ)	実験の内容をレポートにまとめることが出来，指定した日時までに提出することが出来る。	実験の内容をレポートにまとめることができる。	実験の内容をレポートにまとめることが出来ない。

教育方法等

概要:

電気回路，電気計測，マイクロコンピュータ工学Aの授業で受講する内容を，アナログ及びディジタルの基礎的な回路の設計・製作，回路特性の測定等の実習を通して理解することを目的とする。さらに，電気実験として最初に行う実験であるので，基本的な計測機器(テスター，直流電源，発振器，オシロスコープ)の原理・取り扱い方法の理解，実験データの整理の仕方，グラフの描き方，報告書の書き方を習得する。

授業の進め方・方法:

注意点:

実験内容に応じて1年の創造電気実験で購入したテスターを持参すること

授業計画

		週	授業内容	週ごとの到達目標
前期
	1stQ
		1週	電気基礎実験についての諸注意，レポートの書き方	電気基礎実験についての諸注意，レポートの書き方を理解する。
		2週	電気基礎実験についての諸注意，レポートの書き方	電気基礎実験についての諸注意，レポートの書き方を理解する。
		3週	電気基礎実験についての諸注意，レポートの書き方	電気基礎実験についての諸注意，レポートの書き方を理解する。
		4週	電気基礎実験についての諸注意，レポートの書き方	電気基礎実験についての諸注意，レポートの書き方を理解する。
		5週	計測技術の習得： テスターを用いた測定実習	テスターを用いた測定実習を理解する。
		6週	可変直流定電圧電源：電源の取り扱い，直列接続	電源の取り扱い，直列接続について理解する。
		7週	直流回路の基本的な性質：オームの法則，分流・分圧の法則，電球の特性，内部抵抗	オームの法則，分流・分圧の法則，電球の特性，内部抵抗について理解する。
		8週	直流回路の基本的な性質：オームの法則，分流・分圧の法則，電球の特性，内部抵抗	オームの法則，分流・分圧の法則，電球の特性，内部抵抗について理解する。
	2ndQ
		9週	直流回路の基本的な性質：オームの法則，分流・分圧の法則，電球の特性，内部抵抗	オームの法則，分流・分圧の法則，電球の特性，内部抵抗について理解する。
		10週	直流回路の基本的な性質：オームの法則，分流・分圧の法則，電球の特性，内部抵抗	オームの法則，分流・分圧の法則，電球の特性，内部抵抗について理解する。
		11週	直流回路の諸定理に関する実験：キルヒホッフの法則，ホイートストンブリッジ，テブナンの定理，整合条件	キルヒホッフの法則，ホイートストンブリッジ，テブナンの定理，整合条件について理解する。
		12週	直流回路の諸定理に関する実験：キルヒホッフの法則，ホイートストンブリッジ，テブナンの定理，整合条件	キルヒホッフの法則，ホイートストンブリッジ，テブナンの定理，整合条件について理解する。
		13週	直流回路の諸定理に関する実験：キルヒホッフの法則，ホイートストンブリッジ，テブナンの定理，整合条件	キルヒホッフの法則，ホイートストンブリッジ，テブナンの定理，整合条件について理解する。
		14週	直流回路の諸定理に関する実験：キルヒホッフの法則，ホイートストンブリッジ，テブナンの定理，整合条件	キルヒホッフの法則，ホイートストンブリッジ，テブナンの定理，整合条件について理解する。
		15週	オシロスコープを用いた基本的な実験：オシロの操作方法，ICによる発振器の製作と測定，リサージュ図形の観測	オシロの操作方法，ICによる発振器の製作と測定，リサージュ図形の観測の理解ができる。
		16週
後期
	3rdQ
		1週	オシロスコープを用いた基本的な実験：オシロの操作方法，ICによる発振器の製作と測定，リサージュ図形の観測	オシロの操作方法，ICによる発振器の製作と測定，リサージュ図形の観測の理解ができる。
		2週	オシロスコープを用いた基本的な実験：オシロの操作方法，ICによる発振器の製作と測定，リサージュ図形の観測	オシロの操作方法，ICによる発振器の製作と測定，リサージュ図形の観測の理解ができる。
		3週	ICを用いた論理回路実験：論理回路の基礎，カルノー図による設計	ICを用いた論理回路実験：論理回路の基礎，カルノー図による設計を理解できる。
		4週	ICを用いた論理回路実験：論理回路の基礎，カルノー図による設計	ICを用いた論理回路実験：論理回路の基礎，カルノー図による設計を理解できる。
		5週	回路製作実習：マイクロコンピュータ工学Bのプログラミング演習用に使用するPICボードの製作および実習	回路製作実習を行う。
		6週	回路製作実習：マイクロコンピュータ工学Bのプログラミング演習用に使用するPICボードの製作および実習	回路製作実習を行う。
		7週	半導体素子を用いた実験：ダイオードの特性，整流回路，論理回路	ダイオードの特性，整流回路，論理回路の理解を行う。
		8週	半導体素子を用いた実験：ダイオードの特性，整流回路，論理回路	ダイオードの特性，整流回路，論理回路の理解を行う
	4thQ
		9週	半導体素子を用いた実験：ダイオードの特性，整流回路，論理回路	ダイオードの特性，整流回路，論理回路の理解を行う
		10週	半導体素子を用いた実験：ダイオードの特性，整流回路，論理回路	ダイオードの特性，整流回路，論理回路の理解を行う
		11週	RLC回路に関する実験：コイルおよびコンデンサの製作，RLC回路の特性	コイルおよびコンデンサの製作，RLC回路の特性の理解を行う。
		12週	RLC回路に関する実験：コイルおよびコンデンサの製作，RLC回路の特性	コイルおよびコンデンサの製作，RLC回路の特性の理解を行う。
		13週	実験内容についてのプレゼンテーション：発表資料の作成，発表	実験内容についてのプレゼンテーションを行う。
		14週	実験内容についてのプレゼンテーション：発表資料の作成，発表	実験内容についてのプレゼンテーションを行う。
		15週	工場見学	工場見学を行う。
		16週

評価割合

	レポート	発表	合計
総合評価割合	95	5	100
基礎的能力	95	5	100