到達目標
① バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。
② FETの特徴と等価回路を説明できる。
③ 演算増幅器の特性を説明できる。
④ 反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。
⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を十分に説明できる。 | バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。 | バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できない。 |
| 評価項目2 | FETの特徴と等価回路を十分に説明できる。 | FETの特徴と等価回路を説明できる。 | FETの特徴と等価回路を説明できない。 |
| 評価項目3 | 演算増幅器の特性を十分に説明できる。 | 演算増幅器の特性を説明できる。 | 演算増幅器の特性を説明できない。 |
| 評価項目4 | 反転増幅器や非反転増幅器等の回路を十分に説明できる。 | 反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。 | 反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できない。 |
| 評価項目5 | トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について十分に説明することができる。 | トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。 | トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
現代のIC社会においても，個別部品からの電子回路の理解は必要不可欠です。本講義では，電子回路の基礎・基本を習得するために，基本的な種々の回路を取り上げ，その動作を学習します。
授業の進め方・方法:
講義を中心に授業を進める。また，理解を深めるために，適宜ミニテストとレポート課題を課す。
講義の進捗に応じて資料を配布する。
注意点:
【成績評価】
中間・期末の２回の定期試験を行う.試験の平均点（70%），レポート（30％）で総合成績を評価する。到達目標に基づき，トランスタ，オペアンプ，パルス発生回路，ICの動作の理解を到達度の評価基準とする。
【連絡先】
研究室 A棟3階（A-319）
内線電話 8964
e-mail: yinoue ## maizuru-ct.ac.jp (#は@に変えること。)
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
シラバス内容の説明，アナログ回路の復習 |
① バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。
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| 2週 |
電界効果トランジスタ |
② FETの特徴と等価回路を説明できる。
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| 3週 |
発振回路
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① バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。
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| 4週 |
オペアンプ
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③ 演算増幅器の特性を説明できる。
④ 反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。
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| 5週 |
演習問題
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① バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。
② FETの特徴と等価回路を説明できる。
③ 演算増幅器の特性を説明できる。
④ 反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。
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| 6週 |
パルスの基礎，スイッチ回路，パルスの応答
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⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 7週 |
パルス波の発生と波形整形，単安定マルチバイブレータ |
⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 8週 |
後期中間試験 |
① バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。
② FETの特徴と等価回路を説明できる。
③ 演算増幅器の特性を説明できる。
④ 反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。
⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 4thQ |
| 9週 |
後期中間試験返却，到達度確認，双安定マルチバイブレータ |
⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 10週 |
単安定マルチバイブレータ，演習問題
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⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 11週 |
IC論理回路
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⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 12週 |
DTL回路，TTL回路
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⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 13週 |
CMOS-IC
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⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 14週 |
ディジタルIC
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⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 15週 |
IC記録回路，演習問題 |
⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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| 16週 |
期末試験，および，到達度の確認 |
① バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。
② FETの特徴と等価回路を説明できる。
③ 演算増幅器の特性を説明できる。
④ 反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。
⑤ トランジスタなど，ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明することができる。
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子回路 | バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。 | 3 | 後1,後3,後5,後8,後16 |
| FETの特徴と等価回路を説明できる。 | 3 | 後2,後5,後8,後16 |
| 演算増幅器の特性を説明できる。 | 3 | 後4,後5,後8,後16 |
| 反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。 | 3 | 後4,後5,後8,後16 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 70 | 0 | 0 | 0 | 30 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 70 | 0 | 0 | 0 | 30 | 0 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |