| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 「導電材料」「半導体材料」の電気的性質を説明し,電子デバイス応用について説明できる。 | 「導電材料」「半導体材料」の電気的性質と電子デバイス応用例を記憶している。 | 「導電材料」「半導体材料」について説明できない。 |
評価項目2 | 「磁性材料」「誘電性材料」の電気的性質を説明し,電子デバイス応用について説明できる。 | 「磁性材料」「誘電性材料」の電気的性質と電子デバイス応用例を記憶している。 | 「磁性材料」「誘電性材料」について説明できない。 |
評価項目3 | 「超電導材料」「量子ドット」の電気的性質を説明し,電子デバイス応用について説明できる | 「超電導材料」「量子ドット」の電気的性質と電子デバイス応用例を記憶している | 「超電導材料」「量子ドット」について説明できない。 |
評価項目4 | 「先端半導体材料」の電気的性質を説明し,電子デバイス応用について説明できる。 | 「先端半導体材料」の電気的性質と電子デバイス応用例を記憶している。 | 「先端半導体材料」について説明できない。 |
評価項目5 | 「電子デバイス材料の評価法」を3つ以上知っており,原理と手法について説明ができる。 | 「電子デバイス材料の評価法」を少なくとも1つは知っており,簡単に説明ができる。 | 「電子デバイス材料の評価法」を1つも知らない。 |
評価項目6 | 「結晶成長など基板に関わる技術」を十分に説明できる。 | 「結晶成長など基板に関わる技術」を説明できる。 | 「結晶成長など基板に関わる技術」を説明できない。 |
評価項目7 | 「微細加工技術」および「微細加工装置」について十分に説明できる。 | 「微細加工技術」および「微細加工装置」について説明できる。 | 「微細加工技術」および「微細加工装置」について説明できない。 |
評価項目8 | 「薄膜の基本的性質」および「薄膜の作製方法」を十分に説明できる。 | 「薄膜の基本的性質」および「薄膜の作製方法」を説明できる。 | 「薄膜の基本的性質」および「薄膜の作製方法」を説明できない。 |