到達目標
以下の能力を修得することを目標とする．
1) 能動素子の特徴を理解し，それらを用いた基本的な回路について，原理および特性を正確に理解し，解析できる．
2) 増幅回路の基礎動作と特性について正確に理解し、等価回路を用いて解析できる．
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 能動素子の特徴を理解し，それらを用いた基本的な回路について，原理および特性を正確に理解し，解析できる． | 能動素子の特徴を理解し，それらをを用いた基本的な回路について，原理および特性を理解し，解析できる． | 能動素子素子の特徴を理解し，それらを用いた基本的な回路について，原理および特性を理解できない． |
| 評価項目2 | 増幅回路について，原理および特性を正確に理解し，定量的に解析できる． | 増幅回路について，原理および特性を理解し，解析できる． | 増幅回路について，原理および特性を理解できない． |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
ダイオード，トランジスタや電界効果トランジスタ(FET)などの能動素子の動作原理とそれを利用した基礎的な回路について解説する.
授業の進め方・方法:
教科書から取捨選択し理解しやすい順序に並べ替えて講義形式で進める．最初に講義を行い概略を説明したあと、各自が自主学習を行う。質問等の個人指導を行い、不明な点を解消する。
注意点:
授業中は集中して理解に努め、わからないところを授業中に質問して解決していくプロセスが求められる。毎回復習が必要。課題が出された場合は必ず期限までに提出しなければならない。合格の対象としない欠席条件(割合) 1/3以上の欠課
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
半導体 |
半導体の種類および半導体内の電気伝導原理について理解できる．
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| 2週 |
ダイオード
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pn接合の整流作用および電圧電流特性について理解できる．
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| 3週 |
トランジスタ
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トランジスタの基本構造，動作および静特性について理解できる．
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| 4週 |
固定バイアス回路とトランジスタの動作 |
固定バイアス回路におけるトランジスタの動作について理解できる．
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| 5週 |
熱暴走と各種バイアス回路 |
熱暴走と各種バイアス回路について理解できる．
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| 6週 |
トランジスタの周波数特性と３つの接地方式
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トランジスタの周波数特性と３つの接地方式の違いについて理解できる．
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| 7週 |
復習
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これまでの内容の理解を確実なものとする．
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| 8週 |
中間試験
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| 2ndQ |
| 9週 |
トランジスタの小信号等価回路
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トランジスタの小信号等価回路について理解できる．
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| 10週 |
小信号等価回路による解析 |
小信号等価回路を用いた解析手法について理解できる．
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| 11週 |
小信号等価回路による解析２ |
３つの周波数領域において等価回路の違いについて理解できる．
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| 12週 |
ミラー効果とその応用 |
ミラー効果と負性容量増幅回路について理解できる．
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| 13週 |
ミラー効果の応用とピーキング、エミッタフォロワ― |
ミラー効果のＯＰアンプへの適用とピーキングの考え方について理解できる．またエミッタフォロワの特徴と解析について知る．
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| 14週 |
FETの種類と動作原理 |
６種類のＦＥＴの動作原理と違いについて理解できる．
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| 15週 |
復習
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これまでの内容の理解を確実なものとする。
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| 16週 |
期末演習 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 情報系分野 | その他の学習内容 | トランジスタなど、ディジタルシステムで利用される半導体素子の基本的な特徴について説明できる。 | 4 | 前2,前3,前14 |
| 分野横断的能力 | 汎用的技能 | 汎用的技能 | 汎用的技能 | 日本語と特定の外国語の文章を読み、その内容を把握できる。 | 3 | 前15 |
| 書籍、インターネット、アンケート等により必要な情報を適切に収集することができる。 | 3 | 前15 |
評価割合
| 試験 | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 70 | 30 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 70 | 30 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 |