| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 量子論の基礎を理解し,シュレディンガーの波動方程式を解いてエネルギー帯理論を導くことができる.また,半導体における電気伝導機構,少数キャリアに対する連続の方程式,移動度,ならびにアインシュタインの関係式について説明することができる. | 量子論の基礎を理解し,シュレディンガーの波動方程式からエネルギー帯理論を導くことができる.また,半導体における電気伝導機構,少数キャリアに対する連続の方程式,移動度,ならびにアインシュタインの関係式について理解することができる. | 量子論の基礎を理解し,シュレディンガーの波動方程式からエネルギー帯理論を導くことができない.また,半導体における電気伝導機構,少数キャリアに対する連続の方程式,移動度,ならびにアインシュタインの関係式について説明することができない. |
評価項目2 | pn接合のエネルギー準位図と電流-電圧特性,逆方向降伏現象,空乏層容量について理解し説明することができる.また,ヘテロ接合および金属-半導体接触についてエネルギー準位図を用いて説明することができる.接合型トランジスタおよび電界効果型トランジスタの動作原理と電流-電圧特性などについて説明することができる. | pn接合のエネルギー準位図と電流-電圧特性,逆方向降伏現象,空乏層容量について理解することができる.また,ヘテロ接合および金属-半導体接触のエネルギー準位図を示すことができる.接合型トランジスタおよび電界効果型トランジスタの動作原理と電流-電圧特性などについて説明することができる. | pn接合のエネルギー準位図と電流-電圧特性,逆方向降伏現象,空乏層容量について理解することができない.また,ヘテロ接合および金属-半導体接触のエネルギー準位図を示すことができない.接合型トランジスタおよび電界効果型トランジスタの動作原理と電流-電圧特性などについて説明することができない. |
評価項目3 | 半導体の光学的性質とフォトダイオードや太陽電池,LED,レーザなどの光デバイスの動作原理について説明することができる.また,半導体の熱電的性質や磁電効果などについて説明することができる.さらに,集積回路の基本的な製作プロセスについて説明することができる. | 半導体の光学的性質とフォトダイオードや太陽電池,LED,レーザなどの光デバイスの動作原理について理解することができる.また,半導体の熱電的性質や磁電効果などについて理解することができる.さらに,集積回路の基本的な製作プロセスについて説明することができる. | 半導体の光学的性質とフォトダイオードや太陽電池,LED,レーザなどの光デバイスの動作原理について理解することができない.また,半導体の熱電的性質や磁電効果などについて理解することができない.さらに,集積回路の基本的な製作プロセスについて説明することができない. |
評価項目4 | MOSFETの基本構造と動作原理を理解し,電流-電圧特性を説明することができる.また,集積回路に用いられる基本的なMOSFET増幅回路について,小信号等価回路を用いて電圧増幅度などの電気的特性や高周波特性を求めることができる. | MOSFETの基本構造と電流-電圧特性を説明することができる.また,集積回路に用いられる基本的なMOSFET増幅回路について,小信号等価回路を用いて電圧増幅度などの電気的特性や高周波特性を求めることができる. | MOSFETの基本構造と電流-電圧特性を説明することができない.また,集積回路に用いられる基本的なMOSFET増幅回路について,小信号等価回路を用いて電圧増幅度などの電気的特性や高周波特性を求めることができない. |