| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 半導体の基礎の理解 | 電気回路と電子回路，能動素子と受動素子，半導体の特徴・構成材料・電気伝導，導体/絶縁体/半導体のエネルギー準位，真性半導体・n形不純物半導体・p形不純物半導体の構造，ドリフト電流，拡散電流，pn接合の電気的特性、ダイオードの動作原理について正しく説明でき，半導体の基礎（導体，絶縁体，半導体の電気伝導，エネルギー準位，半導体電流）について完全に理解している． | 電気回路と電子回路，能動素子と受動素子，半導体の特徴・構成材料・電気伝導，導体/絶縁体/半導体のエネルギー準位，真性半導体・n形不純物半導体・p形不純物半導体の構造，ドリフト電流，拡散電流，pn接合の電気的特性、ダイオードの動作原理について説明でき，半導体の基礎（導体，絶縁体，半導体の電気伝導，エネルギー準位，半導体電流）について理解している． | 電気回路と電子回路，能動素子と受動素子，半導体の特徴・構成材料・電気伝導，導体/絶縁体/半導体のエネルギー準位，真性半導体・n形不純物半導体・p形不純物半導体の構造，ドリフト電流，拡散電流，pn接合の電気的特性、ダイオードの動作原理について説明できず，半導体の基礎（導体，絶縁体，半導体の電気伝導，エネルギー準位，半導体電流）について理解していない． |
| pn接合ダイオード・トランジスタの動作原理および基本的な回路の理解 | 静特性と動特性との違い，半波整流回路・全波整流回路・波形整形回路，ツェナーダイオード・発光ダイオード，バイポーラ型トランジスタの構造・動作原理・電気特性，各種接地回路，トランジスタの静特性とhパラメータについて正しく説明でき，デバイスの基礎となるpn接合ダイオード・トランジスタの動作原理および基本的な回路について完全に理解している． | 静特性と動特性との違い，半波整流回路・全波整流回路・波形整形回路，ツェナーダイオード・発光ダイオード，バイポーラ型トランジスタの構造・動作原理・電気特性，各種接地回路，トランジスタの静特性とhパラメータについて説明でき，デバイスの基礎となるpn接合ダイオード・トランジスタの動作原理および基本的な回路について理解している． | 静特性と動特性との違い，半波整流回路・全波整流回路・波形整形回路，ツェナーダイオード・発光ダイオード，バイポーラ型トランジスタの構造・動作原理・電気特性，各種接地回路，トランジスタの静特性とhパラメータについて説明できず，デバイスの基礎となるpn接合ダイオード・トランジスタの動作原理および基本的な回路についても理解していない． |
| トランジスタの増幅回路，バイアス回路の理解 | バイアス電圧と動作点・電流増幅作用，電圧増幅作用と電力増幅作用の基本，基本増幅回路による増幅作用，計算方法，各種バイアス回路，直流負荷線と交流負荷線について正しく説明でき，トランジスタの増幅回路，バイアス回路について完全に理解している． | バイアス電圧と動作点・電流増幅作用，電圧増幅作用と電力増幅作用の基本，基本増幅回路による増幅作用，計算方法，各種バイアス回路，直流負荷線と交流負荷線について説明でき，トランジスタの増幅回路，バイアス回路について理解している． | バイアス電圧と動作点・電流増幅作用，電圧増幅作用と電力増幅作用の基本，基本増幅回路による増幅作用，計算方法，各種バイアス回路，直流負荷線と交流負荷線について説明できず，トランジスタの増幅回路，バイアス回路について理解していない． |
| トランジスタの等価回路を用いた増幅度や利得の計算，FETの動作原理についての理解 | h定数を用いた動作基本式と等価回路，増幅度と利得，接合型FETの基本原理・接地方式・静特性・バイアス回路，MOS型FETの基本原理・静特性とバイアスおよび動作解析について正しく説明でき，トランジスタの等価回路を用いた増幅度や利得の計算，FETの動作原理について完全に理解している． | h定数を用いた動作基本式と等価回路，増幅度と利得，接合型FETの基本原理・接地方式・静特性・バイアス回路，MOS型FETの基本原理・静特性とバイアスおよび動作解析について説明でき，トランジスタの等価回路を用いた増幅度や利得の計算，FETの動作原理について理解している． | h定数を用いた動作基本式と等価回路，増幅度と利得，接合型FETの基本原理・接地方式・静特性・バイアス回路，MOS型FETの基本原理・静特性とバイアスおよび動作解析について説明できず，トランジスタの等価回路を用いた増幅度や利得の計算，FETの動作原理について理解していない． |