| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 任意のスイッチング回路に対し,微分方程式を用いずに単発過渡現象を扱える。 | 基本スイッチング回路に対し,微分方程式を用いずに単発過渡現象を扱える。 | 基本スイッチング回路の単発過渡現象も扱うことができない。 |
評価項目2 | 抵抗,キャパシタおよびダイオードの特徴を十分に理解の上,任意回路において素子の選択ができる。 | 任意回路において,抵抗,キャパシタおよびダイオードの選択ができる。 | 任意回路において,抵抗,キャパシタおよびダイオードの選択ができない。 |
評価項目3 | 電力変換のメカニズムがわかった上で,任意のスイッチング回路が構成できる。 | 電力変換のメカニズムを理解し,基本スイッチング回路の構成ができる。 | 基本スイッチング回路が構成できない。 |
評価項目4 | 状態平均化を用いて,任意回路の読解ができる。 | 状態平均化を用いて,基本回路の読解ができる。 | 状態平均化を用いて,基本回路の読解ができない。 |
評価項目5 | 各種デバイスのv-i特性から,等価回路を導出できる。 | 太陽電池の等価回路を導出できる。 | 太陽電池の等価回路も導出できない。 |
評価項目6 | MPPT制御回路が構築できる。 | MPPT制御の説明ができる。 | MPPT制御を説明できない。 |
評価項目7 | 蓄電デバイスの特徴を理解の上,適した充放電制御方法を選択できる。 | 蓄電デバイスに適した充放電制御方法を選択できる。 | 蓄電デバイスに適した充放電制御方法を選択できない。 |
評価項目8 | PFCコンバータの制御回路を構築できる。 | PFCコンバータの動作を説明できる。 | PFCコンバータの動作を説明できない。 |
評価項目9 | スイッチングデバイスの過渡特性を理解の上,適したドライブ回路とパワー回路を構築できる。 | スイッチングデバイスに適したドライブ回路を構築できる。 | スイッチングデバイスに適したドライブ回路を構築できる。 |
評価項目10 | 適したノイズ対策を行うことができる。 | 各ノイズ対策の説明ができる。 | ノイズ対策の説明ができない。 |