到達目標
光通信や，光ディスク等光を利用した機器に用いられている光技術の概要が説明できる。
光エレクトロニクス関連のマニュアルや解説書を読んで，内容を理解し説明できる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 光エレクトロニクス | 光通信や，光ディスク等光を利用した機器に用いられている光技術について説明できる | 光通信や，光ディスク等光を利用した機器に用いられている光技術の基本的な内容について説明できる | 光通信や，光ディスク等光を利用した機器に用いられている光技術の基本的な内容について説明できない |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
４年生までに学習した電気磁気学や電気材料，半導体工学，電子工学を基礎として，光通信に代表される光エレクトロニクス関連技術の概要を学ぶ。
授業の進め方・方法:
学修単位科目のため、授業後に200分程度の自宅演習課題を課す。
注意点:
事前学習
教科書とこれまでの講義内容を予習し，授業の内容や不明なところを事前に把握する。
事後学習
講義の内容を復習し，与えられた課題を取り組んで，授業の内容を理解する。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
光エレクトロニクス |
光エレクトロニクスの概略について説明できる
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| 2週 |
波の基本的性質 |
波の速度，位相，屈折と反射について説明できる
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| 3週 |
光導波路とファイバ |
光の導波，光ファイバの原理について説明できる
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| 4週 |
レーザ光 |
レーザ光の特徴について説明できる
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| 5週 |
レーザ光の発生 |
光と物質の相互作用，反転分布について説明できる
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| 6週 |
各種レーザ |
半導体レーザ，ガスレーザ，固体レーザについて説明できる
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| 7週 |
受光素子 |
太陽電池とフォトダイオードについて説明できる
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| 8週 |
光制御素子 |
光変調器，偏光板について説明できる
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| 4thQ |
| 9週 |
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| 10週 |
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| 11週 |
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| 12週 |
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| 13週 |
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| 14週 |
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| 15週 |
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| 16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 課題レポート | 合計 |
| 総合評価割合 | 50 | 50 | 100 |
| 配点 | 50 | 50 | 100 |