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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
授業のガイダンス、原子の基本構造,原子の種類と質量 |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 2週 |
原子の基本構造,原子の種類と質量 |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 3週 |
電子配置、電子の充填順序、典型元素と遷移元素 |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 4週 |
電子配置、電子の充填順序、典型元素と遷移元素 |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 5週 |
原子の大きさ、イオン化エネルギー |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 6週 |
原子の大きさ、イオン化エネルギー |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 7週 |
演習 |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 8週 |
中間試験 |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 2ndQ |
| 9週 |
中間試験解答、電子親和力、電気陰性度 |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 10週 |
電子親和力、電気陰性度 |
（1） 基本的な原子の電子配置が書ける。
（2） 原子の一般的性質と周期性の関係について説明できる。
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| 11週 |
原子の結合形式、共有結合、分子軌道法 |
（3） 化学結合の種類とそれぞれの結合様式の特徴について説明できる。
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| 12週 |
原子の結合形式、共有結合、分子軌道法 |
（3） 化学結合の種類とそれぞれの結合様式の特徴について説明できる。
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| 13週 |
混成軌道、電子対反発則 |
（3） 化学結合の種類とそれぞれの結合様式の特徴について説明できる。
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| 14週 |
混成軌道、電子対反発則 |
（3） 化学結合の種類とそれぞれの結合様式の特徴について説明できる。
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| 15週 |
演習 |
（3） 化学結合の種類とそれぞれの結合様式の特徴について説明できる。
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| 16週 |
期末試験 |
（3） 化学結合の種類とそれぞれの結合様式の特徴について説明できる。
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| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
イオン結合、格子エネルギー、水素結合、分子間力 |
（3） 化学結合の種類とそれぞれの結合様式の特徴について説明できる。
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| 2週 |
イオン結合、格子エネルギー、水素結合、分子間力 |
（3） 化学結合の種類とそれぞれの結合様式の特徴について説明できる。
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| 3週 |
空間格子、単位格子 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 4週 |
空間格子、単位格子 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 5週 |
六方最密充填、面心立方最密充填、体心立方 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 6週 |
六方最密充填、面心立方最密充填、体心立方 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 7週 |
演習 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 8週 |
中間試験 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 4thQ |
| 9週 |
中間試験解答、格子間隙サイト、イオン限界半径比、代表的なイオン結晶 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 10週 |
格子間隙サイト、イオン限界半径比、代表的なイオン結晶 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 11週 |
共有結晶、分子結晶 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 12週 |
共有結晶、分子結晶 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 13週 |
半導体 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 14週 |
半導体 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 15週 |
演習 |
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 16週 |
期末試験 |
（3） 化学結合の種類とそれぞれの結合様式の特徴について説明できる。
（4） 金属結晶の充填構造、イオン結晶の限界半径比と配位数の関係について説明できる。
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| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 化学・生物系分野 | 無機化学 | 主量子数、方位量子数、磁気量子数について説明できる。 | 1 | 前3,前4,前7,前8 |
| 電子殻、電子軌道、電子軌道の形を説明できる。 | 1 | 前1,前2,前3,前4,前7,前8 |
| パウリの排他原理、軌道のエネルギー準位、フントの規則から電子の配置を示すことができる。 | 1 | 前3,前4,前7,前8 |
| 価電子について理解し、希ガス構造やイオンの生成について説明できる。 | 1 | 前3,前4,前7,前8 |
| 元素の周期律を理解し、典型元素や遷移元素の一般的な性質を説明できる。 | 1 | 前3,前4,前7,前8 |
| イオン化エネルギー、電子親和力、電気陰性度について説明できる。 | 1 | 前5,前6,前7,前8,前9,前10 |
| イオン結合と共有結合について説明できる。 | 1 | 前11,前12,前16,後1,後2,後7,後8,後11,後12,後15,後16 |
| 基本的な化学結合の表し方として、電子配置をルイス構造で示すことができる。 | 1 | 前11,前12,前15,前16 |
| 金属結合の形成について理解できる。 | 1 | 前11,前12,前15,前16,後13,後14,後15,後16 |
| 代表的な分子に関して、原子価結合法(VB法)や分子軌道法(MO法)から共有結合を説明できる。 | 1 | 前11,前12,前15,前16,後13,後14,後15,後16 |
| 電子配置から混成軌道の形成について説明することができる。 | 1 | 前13,前14,前15,前16,後13,後14,後15,後16 |
| 結晶の充填構造・充填率・イオン半径比など基本的な計算ができる。 | 1 | 後3,後4,後5,後6,後7,後8,後9,後10 |
| 配位結合の形成について説明できる。 | 1 | 後1,後2,後7,後8 |
| 水素結合について説明できる。 | 1 | 前4,後1,後2,後7,後8 |
| 代表的な元素の単体と化合物の性質を説明できる。 | 1 | 前3,前7,前8 |