基礎電子回路1

科目基礎情報

学校 松江工業高等専門学校 開講年度 2019
授業科目 基礎電子回路1
科目番号 0027 科目区分 専門 / 選択
授業形態 授業 単位の種別と単位数 履修単位: 1
開設学科 情報工学科 対象学年 3
開設期 前期 週時間数 2
教科書/教材 「わかりやすい電子回路」篠田庄司 監修(コロナ社)
担当教員 渡部 徹

到達目標

(1)半導体の性質について理解し,説明することができる.
(2)ダイオードの特徴を理解し,基本的なダイオード回路を解析することができる.
(3)トランジスタ・FETの特徴を理解し,説明することができる.
(4)基本的なトランジスタ回路・FET回路を解析することができる.

ルーブリック

理想的な到達レベルの目安標準的な到達レベルの目安未到達レベルの目安
評価項目1半導体の性質について理解し,説明することができる.半導体の性質について理解し,説明することができる.半導体の性質について理解し,説明することができない.
評価項目2ダイオードの特徴を理解し,基本的なダイオード回路を解析することができる.ダイオードの特徴を理解し,基本的なダイオード回路を解析することができる.ダイオードの特徴を理解し,基本的なダイオード回路を解析することができない.
評価項目3トランジスタ・FETの特徴を理解し,説明することができる.トランジスタ・FETの特徴を理解し,説明することができる.トランジスタ・FETの特徴を理解し,説明することができない.
評価項目4基本的なトランジスタ回路・FET回路を解析することができる.基本的なトランジスタ回路・FET回路を解析することができる.基本的なトランジスタ回路・FET回路を解析することができない.

学科の到達目標項目との関係

学習・教育到達度目標 1 説明 閉じる

教育方法等

概要:
現代エレクトロニクスは,固体電子工学理論を応用した各種の電子デバイス,特に半導体デバイスを中心に成り立っている.これら半導体デバイスを応用した製品は,テレビやビデオから携帯電話やホビー製品に至るまで多岐にわたり,現代社会では必須のものとなっている.本講義では,半導体デバイスの基礎として,半導体デバイスの基本素子といえるダイオード/トランジスタ/FETの概略と基本回路の解析について解説する.
授業の進め方・方法:
成績は,上記の到達目標(1)~(4)の達成度を以下の割合で評価する.
1. 中間試験および期末試験の成績=70%(各35%)
2. 小テストとレポート提出状況=15%
3. 出席状況と学習態度=15%
50点以上(100点満点)を合格とする.再評価試験,追認試験を実施予定.
注意点:
予習:授業の前に教科書を一読し,解らなかった項目を確認しておくこと.例題や章末問題を解いておくとなお良い.
授業中:授業で解らなかったところがあればそのままにせず,教員や友達に質問してその都度理解するよう努める.
復習:演習問題などなるべく多くの問題を解いて計算練習をし,理解を深める.定期試験や小テストで解らなかった問題は必ず復習しておくこと.オフィスアワーを活用すること.

授業計画

授業内容 週ごとの到達目標
前期
1stQ
1週 講義ガイダンス/半導体
半導体の材料,いろいろな半導体.
2週 半導体
半導体の材料,いろいろな半導体.
3週 ダイオード
構造と働き.
4週 ダイオード
特性表示.
5週 ダイオード
ダイオード回路.
6週 ダイオード
ダイオード回路.
7週 ダイオード
ダイオード回路.
8週 ダイオード
ダイオード回路.これまでのまとめ.
2ndQ
9週 中間試験
第1回から第8回までの試験範囲の中間試験を行う.
10週 テスト返却と前期前半のまとめ
テスト返却と前期前半の授業のまとめを行う.
11週 電界効果トランジスタ
特性表示.
12週 電界効果トランジスタ
絶縁ゲート型(MOS-FET).
13週 電界効果トランジスタ
FET回路.
14週 共振回路
FET回路.これまでのまとめ.
15週 期末試験
第10回から第14回までの試験範囲の期末試験を行う.
16週 テスト返却と後期のまとめ
テスト返却.前期のまとめを行う.

モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標

分類分野学習内容学習内容の到達目標到達レベル授業週
専門的能力分野別の専門工学電気・電子系分野電子回路ダイオードの特徴を説明できる。3
バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。3
FETの特徴と等価回路を説明できる。3

評価割合

試験小テスト・課題授業態度態度ポートフォリオその他合計
総合評価割合701515000100
基礎的能力0000000
専門的能力701515000100
0000000