| 優 | 良 | 可 | 不可 |
| 評価項目1 | pn接合について，フェルミ準位、価電子帯，伝道帯，ドナー・アクセプタ準位の関係をエネルギー帯図を用いて説明できる。 | pn接合について，フェルミ準位、価電子帯，伝道帯，ドナー・アクセプタ準位の関係を理解している。 | 参考書のpn接合のエネルギー準位図を利用して、pn接合、フェルミ準位、価電子帯，伝道帯，ドナー、アクセプタについて定性的に説明できる。 | pn接合について，エネルギー対図を用いて説明することができない。 |
| 評価項目2 | 仕事関数，ショットキー障壁、オーム接触についてエネルギー帯図を用いて説明できる。 | 仕事関数，ショットキー障壁，オーム接触のエネルギー帯図を描くことができる。 | 参考書中の図面を利用して、仕事関数，ショットキー障壁，オーム接触を定性的に説明できる。 | 仕事関数，ショットキー障壁、オーム接触のエネルギー帯図を描くことができない。 |
| 評価項目3 | バイポーラトランジスタの動作原理をエネルギー帯図を用いて説明でき，増幅率の計算ができる。 | バイポーラトランジスタの動作原理を用いて説明でき，増幅率の計算ができる。 | 参考書中のバイポーラトランジスタなどの図面を利用して、バイポーラトランジスタの動作原理を定性的に説明でき、増幅率を計算できる。 | バイポーラトランジスタの動作原理を説明できない。 |
| 評価項目4 | MOS型トランジスタの動作原理を，断面図を用いて説明できる。 | MOS型トランジスタの動作原理を理解している。 | 参考書中のMOS型トランジスタの図面を利用して、その動作原理を説明できる。 | MOS型トランジスタの動作原理を説明できない。 |
| 評価項目5 | 発光ダイオード・半導体レーザの動作原理を図を用いて説明でき，ダブルへテロ接合」「量子井戸接合」について説明できる。 | 発光ダイオード・半導体レーザの動作原理を図を用いて説明できる。 | 参考書中の発光ダイオードや半導体レーザの構造図面を利用して、動作原理を説明できる。 | 発光ダイオード・半導体レーザの動作原理を説明できない。 |
| 評価項目6 | 太陽電池・フォトダイオードの動作原理を図を用いて説明できる。 | 太陽電池・フォトダイオードの動作原理を理解している。 | 参考書中の太陽電池やフォトダイオードの構造図面を利用して、その動作原理を説明できる。 | 太陽電池・フォトダイオードの動作原理を説明できない。 |
| 評価項目7 | LSIの製造プロセスを理解し，説明できる。 | LSIの製造プロセスを理解している。 | 参考書中のLSIの製造プロセス図を利用して説明できる。 | LSIの製造プロセスを説明できない。 |
| 評価項目8 | 各種半導体材料・有機半導体材料についてその特徴を説明できる | 各種半導体材料・有機半導体材料の特徴を理解している | 参考書の中の各種半導体材料、有機半導体材料の構造図面を利用して、説明できる。 | 各種半導体材料・有機半導体材料について説明できない |