| 優 | 良 | 可 | 不可 |
評価項目1 | ボーア条件から水素原子の電子の軌道半径と全エネルギーを求められる. | 粒子と波動の二重性,ボーアの仮説,ド・ブロイ波を説明できる. | 参考書を利用して、粒子と波動の二重性,ボーアの仮説,ド・ブロイ波を説明できる. | 粒子と波動の二重性,ボーアの仮説,ド・ブロイ波を説明できない. |
評価項目2 | 主量子数,副量子数,磁気量子数を説明でき,軌道の形の違いを説明できる. | 量子数,パウリの排他律について説明できる. | 参考書の図面を利用して、量子数,パウリの排他律について説明できる. | 量子数,パウリの排他律を説明できない. |
評価項目3 | 半導体のエネルギー帯構造の形成についてメカニズムを説明できる. | 半導体のエネルギー帯構造について伝導帯,禁制帯,価電子帯の図が描ける.金属,半導体,絶縁体のエネルギー帯構造の違いを説明できる. | 参考書の半導体のエネルギー帯構造の図面を利用して、金属,半導体,絶縁体のエネルギー帯構造の違いを説明できる. | 半導体のエネルギー帯構造について伝導帯,禁制帯,価電子帯の図が描けない.金属,半導体,絶縁体のエネルギー帯構造の違いを説明できない. |
評価項目4 | キャリア密度の温度特性図が描け,真性領域・出払い領域・不純物領域の説明ができる. | 自由電子と正孔について説明できる.真性半導体と不純物半導体の違いを説明できる.不純物準位について説明できる。 | 参考書の自由電子と正孔の図面を利用して、真性半導体と不純物半導体の違いを説明できる.不純物準位について説明できる。 | 自由電子と正孔について説明できない.真性半導体と不純物半導体の違いを説明できない.不純物準位について説明できない。 |
評価項目5 | 状態密度と分布関数,キャリア密度について式を導き出せる. | 状態密度と分布関数,キャリア密度について式の意味を説明できる.フェルミ準位について説明できる。 | 参考書中の電子の状態の図を利用して、状態密度と分布関数,キャリア密度、フェルミ準位について説明できる | 状態密度と分布関数,キャリア密度について式の意味を説明できない.フェルミ準位について説明できない。 |
評価項目6 | キャリア連続の式を使うことができる. | ドリフト電流と拡散電流を説明できる.キャリアの生成と再結合について説明できる. | 参考書のドリフト電流と拡散電流の説明図面などを利用して、ドリフト電流と拡散電流、キャリアの生成と再結合について説明できる. | ドリフト電流と拡散電流を説明できない.キャリアの生成と再結合について説明できない. |
評価項目7 | ダイオードの整流作用について式を使って定量的に説明できる. | pn接合のエネルギー準位図を描ける.ダイオードの整流作用についてエネルギー順位図を用いて定性的に説明できる。 | 参考書のpn接合のエネルギー準位図を利用して、ダイオードの整流作用について定性的に説明できる。 | pn接合のエネルギー準位図を描けない.ダイオードの整流作用についてエネルギー準位図を用いて定性的に説明できない. |