電子工学

科目基礎情報

学校 津山工業高等専門学校 開講年度 2017
授業科目 電子工学
科目番号 0015 科目区分 専門 / 必修
授業形態 講義 単位の種別と単位数 履修単位: 2
開設学科 電気電子工学科 対象学年 3
開設期 通年 週時間数 2
教科書/教材 高橋,山田「半導体工学 第3版」(森北出版㈱)
担当教員 香取 重尊

到達目標

1. 半導体中の電子等の振る舞いについて,エネルギー準位図を用いて説明できる。
2. 基本的な半導体デバイスであるダイオードやトランジスタの動作原理をエネルギー準位図に基づいて説明できる。
3. 光半導体素子である発光ダイオード(LED),半導体レーザ,太陽電池の動作原理をエネルギー準位図に基づいて説明できる。

ルーブリック

不可
評価項目1pn接合について,フェルミ準位,価電子帯,伝道帯,ドナー・アクセプタ準位の関係をエネルギー帯図を用いて説明できる。pn接合について,フェルミ準位,価電子帯,伝道帯,ドナー・アクセプタ準位の関係を説明できる。pn接合について,フェルミ準位,価電子帯,伝道帯,ドナー・アクセプタ準位の関係を理解している。pn接合について,エネルギー対図を用いて説明することができない。
評価項目2仕事関数,ショットキー障壁 ,オーム接触についてエネルギー帯図を用いて説明できる。仕事関数,ショットキー障壁,オーム接触のエネルギー帯図を説明できる。仕事関数,ショットキー障壁,オーム接触のエネルギー帯図を描くことができる。仕事関数,ショットキー障壁,オーム接触のエネルギー帯図を描くことができない。
評価項目3バイポーラトランジスタの動作原理をエネルギー帯図を用いて説明でき,増幅率の計算ができる。バイポーラトランジスタの動作原理をエネルギー帯図に基づき説明でき,増幅率の計算ができる。バイポーラトランジスタの動作原理を用いて説明でき,増幅率の計算ができる。バイポーラトランジスタの動作原理を説明できない。
評価項目4MOS型トランジスタの動作原理を,断面図を用いて説明できる。MOS型トランジスタの動作原理を理解し図示できる。MOS型トランジスタの動作原理を理解している。MOS型トランジスタの動作原理を説明できない。

学科の到達目標項目との関係

教育方法等

概要:
この授業では,半導体の電子の振る舞いに関係した物性論的な科目である。この講義では,半導体中の電子や正孔の振る舞いをエネルギーに着目して説明し,さらに半導体素子であるダイオードやトランジスタなどの動作原理の基礎を学習する。
授業の進め方・方法:
板書を中心に進めていく。図示によって具体的に解説を行う。適宜演習を行い,内容理解度をチェックしながら進めていく。
注意点:
課程修了のため履修が必須である。教科書に記載していない事項も含まれるので,参考書も合わせて学習するとより理解が深まる。

授業計画

授業内容 週ごとの到達目標
前期
1stQ
1週 ガイダンス,化学結合
2週 ボーアの原子模型
3週 分子軌道とパウリの排他律
4週 分子軌道とパウリの排他律
5週 結晶構造・ミラー指数
6週 電子と正孔
7週 半導体のエネルギーバンド
8週 前期中間試験
2ndQ
9週 前期中間試験の返却と解答
10週 フェルミ・ディラックの分布関数
11週 状態密度
12週 pn接合
13週 pn接合におけるキャリアの挙動①
14週 pn接合におけるキャリアの挙動②
15週 前期末試験
16週 前期末試験の返却と解答
後期
3rdQ
1週 金属と半導体の接触①
2週 金属と絶縁体の接触②
3週 トランジスタ
4週 バイポーラトランジスタ
5週 電界効果トランジスタ(MOS- FET)
6週 接合型トランジスタ(JFET)
7週 電界効果トランジスタの特性
8週 後期中間試験
4thQ
9週 後期中間試験の返却と解答
10週 発光デバイス(LED,半導体レーザ)
11週 フォトダイオード,太陽電池
12週 半導体デバイスの製造(LSI)
13週 各種半導体材料
14週 有機系光デバイス
15週 後期末試験
16週 後期末試験の返却と解答

モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標

分類分野学習内容学習内容の到達目標到達レベル授業週

評価割合

試験発表相互評価態度ポートフォリオ演習合計
総合評価割合70000030100
基礎的能力0000000
専門的能力70000030100
分野横断的能力0000000