| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | ダイオード・バイポーラトランジスタ・MOSFETを定性的・定量的に説明でき、物理的振る舞いと数式を対応付けて考えることができる。 | ダイオード・バイポーラトランジスタ・MOSFETの動作を定性的に説明することができ、式を用いた計算をすることができる。 | ダイオード・バイポーラトランジスタ・MOSFETの動作を定性的に説明することができない。 |
評価項目2 | 簡単な増幅回路について、バイアスの求め方・増幅率の求め方・等価回路・入出力特性を理解でき、仕様に応じて設計し直すことができる。 | 簡単な増幅回路について、バイアスの求め方・増幅率の求め方・等価回路・入出力特性を理解できる。 | 簡単な増幅回路について、バイアスの求め方・増幅率の求め方・等価回路・入出力特性を理解できない。 |
評価項目3 | 各種増幅回路について、動作や特徴が定性的に説明でき、状況に応じて適切に回路定数を決定することができる。 | 各種増幅回路について、動作や特徴が定性的に説明でき、バイアス・増幅率・入出力特性が理解できる。 | 各種増幅回路について、動作や特徴を定性的に説明できない。 |
評価項目4 | 電力増幅回路について、動作や特徴が定性的に説明でき、状況に応じて適切に回路定数を決定することができる。 | 電力増幅回路について、回路の動作を定性的に説明できる。バイアス・電力効率・コレクタ損失が説明できる。 | 電力増幅回路について、回路の動作を定性的に説明できない。 |