到達目標
(1) 半導体素子（半導体・PN接合）の特性について概要を理解できる．
(2) 専門書を英語で読んで理解できる．
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 半導体素子について定性的にデバイス物理の考え方を理解できる． | 半導体素子について概要を理解できる． | 半導体素子について何も答えられない． |
| 評価項目2 | 専門書を英語で読み，専門的な知識の補助なしで理解することができる． | 専門書を英語で読み，専門的な知識の補助があって理解することができる． | 専門書を英語で読むにあたり，基本的な英文法が備わっていない． |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
電子回路等の発展において電子機器（携帯電話・スマートフォン）は一人一台の時代になっている．そこで使用される半導体集積回路の発展なしにそれらの電子機器はありえない．そこで，電子回路の基礎となる半導体について理解を深め，我々が使用している電子機器についても理解を深めることを目的とする．
授業の進め方・方法:
半導体デバイス・電子回路に関する英語の文章を読み解いていく．学生自身が文章を読み，日本語訳をつくり発表していく．事前に配布した英語のプリントについて単語調べや日本語訳の作成をしておき，それを発表しながら専門分野の単語や文章の意味の理解のための解説をしていく．
注意点:
英和辞書を持参すること．電子辞書であれば理科系の言葉が載っているものが望ましい．
事前に配布したプリントについて単語調べと日本語訳作成の復習をすること．
単に日本語訳するだけではなく，物理現象として理解することに努めること．
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
Introduction |
A general overview
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| 2週 |
Semiconductors |
A general overview
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| 3週 |
Semiconductors |
A general overview
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| 4週 |
Semiconductors |
A general overview
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| 5週 |
Semiconductors |
Generation and Recombination
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| 6週 |
Semiconductors |
Generation and Recombination
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| 7週 |
Semiconductors |
Generation and Recombination
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| 8週 |
Semiconductors |
Extrinsic Semiconductor
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| 4thQ |
| 9週 |
Semiconductors |
Extrinsic Semiconductor
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| 10週 |
Semiconductors |
Extrinsic Semiconductor
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| 11週 |
Semiconductors |
Diffusion and Drift
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| 12週 |
Semiconductors |
Diffusion and Drift
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| 13週 |
PN Junctions |
Depletion Regions
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| 14週 |
PN Junctions |
Depletion Regions
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| 15週 |
PN Junctions |
PN Diodes
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| 16週 |
PN Junctions |
PN Diodes
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評価割合
| 試験 | 小テスト | レポート・課題 | 発表 | 成果品・実技 | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 0 | 0 | 100 | 0 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 20 | 0 | 0 | 0 | 20 |
| 専門的能力 | 0 | 0 | 80 | 0 | 0 | 0 | 80 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |