Course Objectives
1.CMOSデバイスデバイスの構造や製造方法を学ぶ。
2.演習を通じてCMOSデバイス関連の設計や動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解する。
3.発光素子や受光素子の構造と動作を学び、半導体に対する理解を深める。
4.CCDデバイスの動作や基本特性を学び、アナログ回路に対する理解を深める。
Rubric
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 演習を通じてCMOSデバイス関連の設計や動作解析を通じて、デバイス動作の基本を適切に説明できる | 演習を通じてCMOSデバイス関連の設計や動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解できる | 演習を通じてCMOSデバイス関連の設計や動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解できない |
| 評価項目2 | 集積回路の基本を理解し、その特性が適切に説明できる | 集積回路の基本を理解し、その特性が理解できる | 集積回路の基本を理解し、その特性が理解できない |
| 評価項目3 | 光学デバイス関連の動作解析を通じて、デバイス動作の基本を適切に説明できる | 光学デバイス関連の動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解できる | 光学デバイス関連の動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解できない |
Assigned Department Objectives
Teaching Method
Outline:
半導体の動作原理や回路技術の基礎を学ぶ。電子産業で利用されるデバイスや回路技術などを織り交ぜながら電子工学を習得する
Style:
講義を基本として行う。また講義中に演習問題の実施や小テストを実施する．
Notice:
理解出来ない点や質問等があれば，適宜指導教員に質問し，講義内容を完全に理解すること。この科目は，電気情報工学科の卒業生として，必ず理解していなければならない専門科目である。分からない所は，その日の内に質問するように。
Characteristics of Class / Division in Learning
Course Plan
|
|
|
Theme |
Goals |
| 1st Semester |
| 1st Quarter |
| 1st |
CMOSデバイス |
CMOS入門
|
| 2nd |
CMOSデバイス |
構造と製造プロセスについて理解する
|
| 3rd |
CMOSデバイス |
CMOSデバイスの基本動作解析ができるようになる
|
| 4th |
CMOSデバイス |
CMOSデバイスの動作機構について理解する
|
| 5th |
CMOSデバイス |
集積化について理解する
|
| 6th |
CMOSデバイス |
複合動作について理解する
|
| 7th |
中間試験 |
|
| 8th |
半導体の光学特性 |
半導体の光学特性について理解する
|
| 2nd Quarter |
| 9th |
発光デバイス |
発光デバイスについて理解する
|
| 10th |
受光デバイス |
受光デバイスについて理解する
|
| 11th |
光学センシング |
光学センシングについて理解する
|
| 12th |
光学デバイス |
光学デバイスについて理解する
|
| 13th |
電荷結合素子 |
電荷結合素子について理解する
|
| 14th |
複合集積回路 |
複合集積回路について理解する
|
| 15th |
答案返却・解答説明 |
|
| 16th |
|
|
Evaluation Method and Weight (%)
| 試験 | 演習 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | Total |
| Subtotal | 70 | 10 | 0 | 0 | 20 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 10 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 10 |
| 専門的能力 | 60 | 10 | 0 | 0 | 20 | 0 | 90 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |