電子工学Ⅱ

1.CMOSデバイスデバイスの構造や製造方法を学ぶ。
2.演習を通じてCMOSデバイス関連の設計や動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解する。
3.発光素子や受光素子の構造と動作を学び、半導体に対する理解を深める。
4.CCDデバイスの動作や基本特性を学び、アナログ回路に対する理解を深める。

	理想的な到達レベルの目安	標準的な到達レベルの目安	未到達レベルの目安
評価項目1	演習を通じてCMOSデバイス関連の設計や動作解析を通じて、デバイス動作の基本を適切に説明できる	演習を通じてCMOSデバイス関連の設計や動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解できる	演習を通じてCMOSデバイス関連の設計や動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解できない
評価項目2	集積回路の基本を理解し、その特性が適切に説明できる	集積回路の基本を理解し、その特性が理解できる	集積回路の基本を理解し、その特性が理解できない
評価項目3	光学デバイス関連の動作解析を通じて、デバイス動作の基本を適切に説明できる	光学デバイス関連の動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解できる	光学デバイス関連の動作解析を通じて、デバイス動作の基本を理解できない

概要:

半導体の動作原理や回路技術の基礎を学ぶ。電子産業で利用されるデバイスや回路技術などを織り交ぜながら電子工学を習得する

授業の進め方・方法:

講義を基本として行う。また講義中に演習問題の実施や小テストを実施する．

注意点:

理解出来ない点や質問等があれば，適宜指導教員に質問し，講義内容を完全に理解すること。この科目は，電気情報工学科の卒業生として，必ず理解していなければならない専門科目である。分からない所は，その日の内に質問するように。

アクティブラーニング	ICT 利用	遠隔授業対応	実務経験のある教員による授業

分類		分野	学習内容	学習内容の到達目標	到達レベル	授業週
専門的能力	分野別の専門工学	電気・電子系分野	電子工学	電子の電荷量や質量などの基本性質を説明できる。	4	前2
				エレクトロンボルトの定義を説明し、単位換算等の計算ができる。	4	前1
				原子の構造を説明できる。	4	前2
				パウリの排他律を理解し、原子の電子配置を説明できる。	4	前2
				結晶、エネルギーバンドの形成、フェルミ・ディラック分布を理解し、金属と絶縁体のエネルギーバンド図を説明できる。	4	前3
				金属の電気的性質を説明し、移動度や導電率の計算ができる。	4	前4
				真性半導体と不純物半導体を説明できる。	4	前4
				半導体のエネルギーバンド図を説明できる。	4	前4
				pn接合の構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流―電圧特性を説明できる。	4	前5,前6
				バイポーラトランジスタの構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。	4	前8,前9
				電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。	4	前11,前12,前13,前14