到達目標
1.電子デバイスに関連している学問について把握する。
2.電子デバイスの基本動作を理解する。
3.集積回路の基本的な構造と製造方法を理解する。
4.集積回路の構成とパターンレイアウトを理解する。
5.電子デバイスの基礎と動作
ディジタル集積回路
メモリデバイス
信頼性技術
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 電子デバイスの基本動作を適切に理解できる | 電子デバイスの基本動作を理解できる | 電子デバイスの基本動作を理解できない |
評価項目2 | 集積回路の基本的な構造と製造方法を適切に説明できる | 集積回路の基本的な構造と製造方法を説明できる | 集積回路の基本的な構造と製造方法を説明できない |
評価項目3 | 電子デバイスの基礎と動作を適切に説明できる | 電子デバイスの基礎と動作を説明できる | 電子デバイスの基礎と動作を説明できない |
学科の到達目標項目との関係
学習・教育到達度目標 本科の学習・教育目標 (HC)
説明
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教育方法等
概要:
エレクトロニクスの発展が,今日の情報化社会の発展を支え,今後の高度情報化社会の推進役となる。その基盤として電子デバイスがある。半導体物性から電子デバイスの構造・動作原理を中心に学習し基本的概念が理解できることを目指す。本授業は進学と就職に関連する。また、創造力や工夫する力(応用力)を育成する。
授業の進め方・方法:
電子工学、電子物性、電子回路と関連づけ講義する。【新型コロナウィルスの影響により、授業内容を一部変更する可能性があります。】
注意点:
電子デバイスが電子技術や高度情報化社会にどのように関係し貢献しているかを学んでみよう。
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
前期 |
1stQ |
1週 |
電子デバイスの基礎 |
デバイスの構造が説明できる
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2週 |
電子デバイスの基礎 |
CMOSの電気的特性が説明できる
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3週 |
集積回路の基礎 |
スケーリングが説明できる
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4週 |
集積回路の基礎 |
集積回路の要素プロセスが説明できる
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5週 |
集積回路の基礎 |
集積回路の要素プロセスが説明できる
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6週 |
集積回路の基礎 |
集積回路の要素プロセスが説明できる
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7週 |
集積回路の製造工程 |
集積回路の製造工程が説明できる
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8週 |
集積回路の製造工程 |
パッケージングと実装技術が説明できる
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2ndQ |
9週 |
電子デバイスの製造工程 |
MEMSの製造工程が説明できる
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10週 |
デジタル集積回路の具体例 |
CMOSデジタル回路の基本構成素子が説明できる
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11週 |
デジタル集積回路の具体例 |
CMOSデジタル回路とマスクパターン設計が説明できる
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12週 |
メモリデバイス |
DRAMが説明できる
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13週 |
メモリデバイス |
SRAM、FLASHが説明できる
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14週 |
信頼性技術 |
信頼性の考え方、劣化させる要因が説明できる
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15週 |
答案返却・解答説明 |
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16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系分野 | 電子回路 | ダイオードの特徴を説明できる。 | 4 | |
バイポーラトランジスタの特徴と等価回路を説明できる。 | 4 | |
FETの特徴と等価回路を説明できる。 | 4 | |
電子工学 | 電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。 | 4 | |
評価割合
| 試験 | 演習 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
総合評価割合 | 40 | 0 | 0 | 0 | 60 | 0 | 100 |
基礎的能力 | 20 | 0 | 0 | 0 | 30 | 0 | 50 |
専門的能力 | 20 | 0 | 0 | 0 | 30 | 0 | 50 |
分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |