Course Objectives
近年，パーソナルコンピュータやスマートフォンをはじめとする工学製品に使用されているマイクロエレクトロニクスデバイスの原理・構造・製造方法を理解する。
Rubric
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | デバイス仕様書などを十分に理解してデバイスを使うことができる。 | デバイス仕様書などの概要を理解することができる | デバイス仕様書などを理解できず，使うこともできない |
| 評価項目2 | 最先端の半導体デバイスの動向と原理を理解できる | 最先端半導体の大まかな動向を理解できる | 最先端半導体について理解できない |
| 評価項目3 | | | |
Assigned Department Objectives
学習・教育到達度目標 専攻科の学習・教育目標 (SC)
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Teaching Method
Outline:
IC・MEMSデバイスをの動作動作原理や構造などを学び、さらにはその製造工程を理解する。また最先端のデバイスや応用分野について理解を深める。
Style:
講義を基本とし，講義資料は配布する。必要であれば適宜実習を行い、理解を深める。【新型コロナウィルスの影響により、授業の内容を一部変更する可能性があります。】
Notice:
Characteristics of Class / Division in Learning
Course Plan
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Theme |
Goals |
| 1st Semester |
| 1st Quarter |
| 1st |
半導体の基礎 |
半導体の基本性質が説明できる
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| 2nd |
半導体素子（ダイオード，バイポーラトランジスタ ） |
ダイオード，トランジスタの構造・静特性を説明できる
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| 3rd |
半導体素子（FET，MOS構造） |
電解効果トランジスタの構造と動作が説明できる
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| 4th |
集積回路の要素プロセス |
集積回路の要素プロセスが説明できる
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| 5th |
集積回路の要素プロセス |
集積回路の要素プロセスが説明できる
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| 6th |
集積回路の製造工程 |
集積回路の製造工程が説明できる
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| 7th |
MEMSデバイスの基礎 |
MEMSデバイスの概要を説明できる
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| 8th |
MEMSデバイスの要素プロセス |
MEMSデバイスの要素プロセスを説明できる
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| 2nd Quarter |
| 9th |
MEMSデバイス（加速度センサー，ジャイロセンサー） |
加速度センサー，ジャイロセンサーの原理・構造・作製手順が説明できる
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| 10th |
MEMSデバイス（デジタルコンパス，タッチディスプレイ） |
デジタルコンパス，タッチディスプレイの原理・構造・作製手順が説明できる
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| 11th |
MEMSデバイス（MEMSスイッチ，マイクロアクチュエータ） |
MEMSスイッチ，マイクロアクチュエータの原理・構造・作製手順が説明できる
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| 12th |
マイクロスケールにおける電気工学的現象（電気泳動，電気浸透，誘電泳動等） |
電気泳動，電気浸透，誘電泳動等の電気工学的現象を説明できる
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| 13th |
マイクロスケールにおける電気工学的現象 |
電気泳動，電気浸透，誘電泳動等の電気工学的現象を説明できる
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| 14th |
マイクロチャネル・マイクロTAS |
マイクロチャネル・マイクロTASの概要を説明できる
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| 15th |
前期末試験 |
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| 16th |
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Evaluation Method and Weight (%)
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | Total |
| Subtotal | 70 | 0 | 0 | 0 | 30 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 70 | 0 | 0 | 0 | 30 | 0 | 100 |
| 専門的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |