| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
半導体の基礎物性 | 半導体の基礎物性を理解し、バンド理論、伝導機構について定量的に説明できる。 | 半導体の基礎物性を理解し、バンド理論、伝導機構について定性的に説明できる。 | 半導体のバンド理論、伝導機構について説明できない。 |
半導体の接合と電子デバイス | 半導体のp-n接合、半導体-金属間の接合を理解し、ダイオードやトランジスタといった電子デバイスの動作を定量的に説明できる。 | 半導体のp-n接合、半導体-金属間の接合を理解し、ダイオードやトランジスタといった電子デバイスの動作を定性的に説明できる。 | ダイオードやトランジスタといった電子デバイスの動作を説明できない。 |
半導体の光学特性と光デバイス | 半導体の光学特性を理解し、発光ダイオードや半導体レーザーといった半導体光デバイスの動作を定量的に説明できる。 | 半導体の光学特性を理解し、発光ダイオードや半導体レーザーといった半導体光デバイスの動作を定性的に説明できる。 | 発光ダイオードや半導体レーザーといった半導体光デバイスの動作を説明できない。 |
半導体の各種性質と半導体量子構造 | 半導体の熱的効果、磁気効果、ひずみ抵抗効果、量子構造について理解し、その原理とデバイスへの応用について説明できる。 | 半導体の熱的効果、磁気効果、ひずみ抵抗効果、量子構造について理解し、その原理を説明できる。 | 半導体の熱的効果、磁気効果、ひずみ抵抗効果、量子構造の原理を説明できない。 |