| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
達成目標1 | 線形素子と半導体素子の違い,半導体材料の考え方,pn接合と整流作用において,いずれも理解し詳細に説明できる | 線形素子と半導体素子の違い,半導体材料の考え方,pn接合と整流作用において,いずれも理解できる | 線形素子と半導体素子の違い,半導体材料の考え方,pn接合と整流作用において,いずれも理解できない |
達成目標2 | ダイオードの基本特性,トランジスタの交流特性,増幅回路の利得,対数表示での計算方法,入力・出力インピーダンスの計算方法において,いずれも理解し詳細に説明できる | ダイオードの基本特性,トランジスタの交流特性,増幅回路の利得,対数表示での計算方法,入力・出力インピーダンスの計算方法において,いずれも理解できる | ダイオードの基本特性,トランジスタの交流特性,増幅回路の利得,対数表示での計算方法,入力・出力インピーダンスの計算方法において,いずれも理解できない |
達成目標3 | トランジスタの基本増幅回路,オペアンプを用いた基本増幅回路において,いずれも理解でき,詳細に説明できる. | トランジスタの基本増幅回路,オペアンプを用いた基本増幅回路において,いずれも理解できる | トランジスタの基本増幅回路,オペアンプを用いた基本増幅回路において,いずれも理解できない |