電子機器特論

科目基礎情報

学校	大島商船高等専門学校	開講年度	令和02年度 (2020年度)
授業科目	電子機器特論
科目番号	0049	科目区分	専門 / 選択
授業形態	授業	単位の種別と単位数	学修単位: 2
開設学科	海洋交通システム学専攻	対象学年	専1
開設期	前期	週時間数	2
教科書/教材
担当教員	中村 翼

到達目標

（1）金属の電気的性質を説明し，移動度や導電率の計算ができる。
（2）真性半導体と不純物半導体を説明できる。
（3）半導体のエネルギーバンド図を説明できる。
（4）pn接合の構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流-電圧特性を説明できる。
（5）バイポーラトランジスタの構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。
（6）電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。
（7）電子回路の構成素子である，ダイオード，バイポーラトランジスタ，FETの特徴を説明でき，バイポーラトランジスタ，FETの等価回路を説明できる。
（8）利得，周波数帯域，インピーダンス整合等の増幅回路の基礎事項を説明できる。またトランジスタ増幅器のバイアス方法を説明できる。
（9）演算増幅器の特性を説明できる。また反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。

ルーブリック

	理想的な到達レベルの目安	標準的な到達レベルの目安	未到達レベルの目安
評価項目1	金属の電気的性質を説明し，移動度や導電率の計算ができる。	金属の電気的性質を理解し，移動度や導電率の計算ができる。	金属の電気的性質を説明し，移動度や導電率の計算ができない。
評価項目2	真性半導体と不純物半導体を説明できる。	真性半導体と不純物半導体を理解できる。	真性半導体と不純物半導体を説明できない。
評価項目3	半導体のエネルギーバンド図を説明できる。	半導体のエネルギーバンド図を理解できる。	半導体のエネルギーバンド図を説明できない。
評価項目4	pn接合の構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流-電圧特性を説明できる。	pn接合の構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流-電圧特性を理解できる。	pn接合の構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流-電圧特性を説明できない。
評価項目5	バイポーラトランジスタの構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。	バイポーラトランジスタの構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を理解できる。	バイポーラトランジスタの構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できない。
評価項目6	電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。	電界効果トランジスタの構造と動作を理解できる。	電界効果トランジスタの構造と動作を説明できない。
評価項目7	電子回路の構成素子である，ダイオード，バイポーラトランジスタ，FETの特徴を説明でき，バイポーラトランジスタ，FETの等価回路を説明できる。	電子回路の構成素子である，ダイオード，バイポーラトランジスタ，FETの特徴を理解でき，バイポーラトランジスタ，FETの等価回路を理解できる。	電子回路の構成素子である，ダイオード，バイポーラトランジスタ，FETの特徴を説明できない，バイポーラトランジスタ，FETの等価回路を説明できない。
評価項目8	利得，周波数帯域，インピーダンス整合等の増幅回路の基礎事項を説明できる。またトランジスタ増幅器のバイアス方法を説明できる。	利得，周波数帯域，インピーダンス整合等の増幅回路の基礎事項を理解できる。またトランジスタ増幅器のバイアス方法を理解できる。	利得，周波数帯域，インピーダンス整合等の増幅回路の基礎事項を説明できない。またトランジスタ増幅器のバイアス方法を説明できない。
評価項目9	演算増幅器の特性を説明できる。また反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。	演算増幅器の特性を理解できる。また反転増幅器や非反転増幅器等の回路を理解できる。	演算増幅器の特性を説明できない。また反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できない。

教育方法等

概要:

電子機器に必要不可欠である，電子回路および電子工学について，モデルコアカリキュラムの学習内容をベースに学修していく。また，実際の電子機器の回路構成についても考察を行う。

授業の進め方・方法:

本講義は自主的に学ぶことを主体とし，基本的にゼミ形式で講義を進めていく。

注意点:

（1）提出物等の期限が守られなければ，減点の対象となる。
（2）不明な点をそのままにせず，理解できない部分があれば必ず質問すること。
（3）受講者の理解度によって，授業計画の内容（順番等）を見直す場合がある。
（変更：9/30）2020年度 前期の授業は対面形式ではなく，オンデマンド型動画による遠隔授業となったため，遠隔授業で出題したレポートの平均を70，前期末レポートの平均を30として，総合評価を行う。

授業計画

		週	授業内容	週ごとの到達目標
前期
	1stQ
		1週	導入／講義準備	本講義の進め方について理解し，次回の講義内容について，準備をすることができる。
		2週	金属	金属の電気的性質を説明し，移動度や導電率の計算ができる。
		3週	半導体１	真性半導体と不純物半導体を説明できる。
		4週	半導体２	半導体のエネルギーバンド図を説明できる。
		5週	半導体デバイス１	pn接合の構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流-電圧特性を説明できる。
		6週	半導体デバイス２	バイポーラトランジスタの構造を理解し，エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。
		7週	半導体デバイス３	電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。
		8週	前期中間試験
	2ndQ
		9週	電子回路の構成素子	電子回路の構成素子である，ダイオード，バイポーラトランジスタ，FETの特徴を説明でき，バイポーラトランジスタ，FETの等価回路を説明できる。
		10週	増幅回路	利得，周波数帯域，インピーダンス整合等の増幅回路の基礎事項を説明できる。またトランジスタ増幅器のバイアス方法を説明できる。
		11週	演算増幅器	演算増幅器の特性を説明できる。また反転増幅器や非反転増幅器等の回路を説明できる。
		12週	電子機器の回路構成を考察１	実際の電子機器をモデルとし，その内部回路の構成について，考察を行う。
		13週	電子機器の回路構成を考察２	実際の電子機器をモデルとし，その内部回路の構成について，考察を行う。
		14週	電子機器の回路構成を考察３	実際の電子機器をモデルとし，その内部回路の構成について，考察を行う。
		15週	これまでの復習	これまでに学修してきた内容の総復習を行う。
		16週	前期末試験

評価割合

	試験（またはレポート）	発表	相互評価	態度（講義への関わり）	ポートフォリオ	その他	合計
総合評価割合	50	20	10	20	0	0	100
基礎的能力	0	0	0	0	0	0	0
専門的能力	50	20	10	20	0	0	100
分野横断的能力	0	0	0	0	0	0	0