| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 真性半導体のエネルギーバンド図が理解でき、キャリア濃度を導出できる。 | 真性半導体のエネルギーバンド図が説明できる。 | 真性半導体のエネルギーバンド図が説明できない。 |
評価項目2 | 半導体の磁気効果が説明でき、P型、N型の判定ができ、キャリヤ密度および移動度が計算できる。 | 半導体の磁気効果が説明でき、P型、N型の判定ができる。 | 半導体の磁気効果が説明できない。 |
評価項目3 | ドリフト・ディフージョンモデルによる電流機構が説明でき、キャリヤの連続の方程式を導出できる。 | ドリフト・ディフージョンモデルによる電流機構が説明できる。 | 半導体の電流機構が説明できず、連続の布袋指揮も説明できない。 |
評価項目4 | PNダイオードの整流作用をエネルギーバンド図を用いて説明でき、整流特性を導出できる。 | PNダイオードの整流作用をエネルギーバンド図を用いて説明できる。 | PNダイオードの整流作用をエネルギーバンド図を用いて説明できない。 |
評価項目5 | 接合トランジスタの増幅特性と基本特性をエネルギーバンド図を用いて説明できること。 | 接合トランジスタの基本特性をエネルギーバンド図を用いて説明できる。 | 接合トランジスタの基本特性をエネルギーバンド図を用いて説明できない。 |