| 理想的な到達レベル | 標準的な到達レベル | 未到達レベル |
到達目標1 | 半導体結晶の性質を理解して、「バンド構造」の意味を明確に説明ができる。 | 半導体結晶の性質を理解して、「バンド構造」についての概要を説明ができる。 | 半導体結晶の性質について説明できない。 |
到達目標2 | pn接合の特性を理解して、「発光ダイオード」の動作原理を明確に説明ができる。 | pn接合の特性を理解して、「発光ダイオード」についての概要を説明ができる。 | pn接合の特性を説明できない。 |
到達目標3 | 半導体デバイス作製におけるプロセス技術の原理が説明でき,デバイス作製方法の基本を明確に説明できる。 | 半導体デバイスの基本的作製方法の概要を説明できる。 | 半導体デバイスの基本的作製方法について説明できない。 |
到達目標4 | 半導体デバイスの評価方法について,使用される技術の原理が説明でき,評価方法の基本が明確に説明できる。 | 半導体デバイスの基本的評価方法の概要を説明できる。 | 半導体デバイスの基本的評価方法について説明できない。 |