到達目標
1.ダイオードの構造および特性について説明できる。
2.トランジスタの、構造および特性について説明できる。
3.トランジスタを用いた簡単な増幅回路の動作について説明ができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | ダイオードの特性や動作原理について説明することができ、応用回路の動作を説明することができる。 | ダイオードの構成や特性について説明することができ、基本的な回路の動作を説明することができる。 | ダイオードの構成や特性について説明することができない。 |
| 評価項目2 | トランジスタの特性や動作原理について説明することができ、応用回路の動作を説明することができる。 | トランジスタの構造や特性について説明することができ、基本的な回路の動作を説明することができる。 | トランジスタの構造や特性について説明することができない。 |
| 評価項目3 | 増幅回路の構成や詳細な動作について説明することができ、等価回路を用いた増幅度等の計算ができる。 | 簡単な増幅回路の構成や動作について説明することができ、等価回路を構成することができる。 | 簡単な増幅回路の構成や動作、等価回路について説明することができない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
一般的なディジタル電子回路には半導体素子が幅広く用いられている。これらの半導体素子のしくみ、動作原理を理解した上で、電子回路を設計するために必要となる知識を習得することを目標とする。そのために、基本的素子であるダイオード、トランジスタの、構造および動作原理、トランジスタの応用回路である増幅回路の構成や動作原理について講義し、さらに等価回路の考え方や増幅の求め方について講義を行う。
授業の進め方・方法:
注意点:
本講義では、電気回路･電子回路等の基本的な知識を必要とします。また、理解の助けとなるよう演習問題も実施しますので、各自積極的に取り組んでください。
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
1.半導体 |
1-(1)半導体の特徴や種類について説明することができる。
|
| 2週 |
|
|
| 3週 |
2.ダイオード |
2-(1)ダイオードの構造や特性について説明することができる。
|
| 4週 |
|
2-(2)簡単なダイオード回路の動作を示すことができる。
|
| 5週 |
3.トランジスタ |
3-(1)トランジスタの構造や特性について説明することができる。
|
| 6週 |
|
3-(2)簡単な増幅回路の構成について説明することができる。
|
| 7週 |
|
|
| 8週 |
【中間試験】 |
|
| 4thQ |
| 9週 |
4.電界効果トランジスタ |
4-(1)電界効果トランジスタの種類や構造について説明することができる。
|
| 10週 |
5. |
5-(1)簡単な増幅回路の構成について説明することができる。
|
| 11週 |
|
5-(2)特性曲線を用いて簡単な増幅回路の動作について説明することができる。
|
| 12週 |
|
|
| 13週 |
6.トランジスタの等価回路 |
6-(1)トランジスタの等価回路について説明することができる。
|
| 14週 |
|
6-(2)等価回路を用いた増幅度の計算方法について説明することができる。
|
| 15週 |
【答案返却】 |
|
| 16週 |
|
|
モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 70 | 0 | 0 | 0 | 30 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 10 | 0 | 0 | 0 | 10 | 0 | 20 |
| 専門的能力 | 60 | 0 | 0 | 0 | 20 | 0 | 80 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |