| 理想的な到達レベル | 標準的な到達レベル | 最低限の到達レベル |
到達目標1 | 原子の構造および電子配置、化学結合を関連付けて説明でき。エネルギーバンド図を描くことができる。 | 原子の構造および電子配置、化学結合を関連付けて説明できる。 | 原子の構造および電子配置を説明できる。 |
到達目標2 | 金属において電気抵抗の生じる要因について説明でき、各要因による抵抗値の温度依存性を描ける。 | 金属の電気的性質について説明でき、移動度や導電率に関する基本的な計算ができる。 | 金属の導電性は自由電子が担っていることが説明できる。 |
到達目標3 | 真性半導体と不純物半導体の違いについてフェルミ分布関数を用いて説明できる。 | 真性半導体と不純物半導体の違いについて説明できる。 | 半導体について説明できる。 |
到達目標4 | 誘電体によりコンデンサの静電容量が増加する理由を、誘電分極現象から説明できる。 | 誘電分極の特徴および要因について説明できる。 | 電界を印加すると誘電体が分極することが説明できる。 |
到達目標5 | 原子の磁気モーメントや伝導電子まで考慮して、常磁性と強磁性の違いについて説明できる。 | 常磁性と強磁性の違いについて説明できる。 | 強磁性体は自発磁化を持つことが説明できる。 |