到達目標
１．半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造および動作原理が説明できる。
２．トランジスタの等価回路が説明できる。
３．トランジスタ、FET、オペアンプによる小信号増幅回路の設計ができる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベル | 標準的な到達レベル | 最低限の到達レベル |
| 到達目標1 | 半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造および動作原理を理解し、説明できる。 | 半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造および動作原理が説明できる。 | 半導体素子（ダイオード、トランジスタ、FET）の構造が説明できる。 |
| 到達目標2 | トランジスタの等価回路を用いて増幅率が計算できる。 | トランジスタの等価回路を描き、説明できる。 | トランジスタの等価回路が描ける。 |
| 到達目標3 | トランジスタ、FET、オペアンプによる小信号増幅回路の設計ができ、素子を選択できる。増 | トランジスタ、FET、オペアンプによる小信号増幅回路の計算ができる。 | トランジスタ、FET、オペアンプによる小信号増幅回路について説明できる。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
電子回路を学ぶ上で必要なダイオードやトランジスタ、FETなどの半導体素子の種類や構造、動作原理を学習する．また、これら半導体素子を利用した回路のうち、基本となる増幅回路を学習する。
授業の進め方・方法:
注意点:
これまでに習った専門分野の講義や実験の基礎知識の定着に加え、半導体素子を例にとりながら授業を進める。また、今後の回路設計などに活かせられるような内容にする。それぞれの素子や回路の特徴をその都度、理解すること。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 2週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 3週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 4週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 5週 |
電子回路素子 |
半導体であるダイオード、トランジスタ、FET、集積回路などの構造および特徴を学習する。
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| 6週 |
増幅回路 |
トランジスタの静特性を学習する。
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| 7週 |
【中間試験】 |
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| 8週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 2ndQ |
| 9週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 10週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 11週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 12週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 13週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 14週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 15週 |
増幅回路 |
トランジスタ、FET、オペアンプの様々な増幅回路を学習する。
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| 16週 |
【期末試験】 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 定期試験 | 小テスト | ポートフォリオ | 発表・取り組み姿勢 | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 60 | 0 | 40 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 10 | 0 | 10 | 0 | 0 | 20 |
| 専門的能力 | 50 | 0 | 30 | 0 | 0 | 80 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |