Semiconductor Material Properties

Course Information

College Anan College Year 2024
Course Title Semiconductor Material Properties
Course Code 5397E04 Course Category Specialized / Elective
Class Format Lecture Credits Academic Credit: 2
Department Course of Electronics and Information Engineering Student Grade Adv. 2nd
Term Second Semester Classes per Week 後期:2
Textbook and/or Teaching Materials 電子物性 松澤・高橋・斉藤 共著(森北出版)
Instructor Hasegawa Tatsuo

Course Objectives

1.固体のバンド構造について説明できる。
2.半導体中のキャリア密度の温度変化について説明できる。
3.3種類の電気分極の機構について説明できる。
4.磁性の発現機構について説明できる。

Rubric

理想的な到達レベル(優)標準的な到達レベル(良)最低限の到達レベル(可)
到達目標1固体のバンド構造について説明でき、ブロッホの定理を用いてその電子状態を記述することができる。固体のバンド構造を、周期ポテンシャルと関連付けて説明できる。固体のバンド構造に関する考え方を理解することができる。
到達目標2真性半導体と不純物半導体のキャリア密度の温度変化について、フェルミ分布関数を用いて説明できる。真性半導体と不純物半導体のキャリア密度の温度変化について、定性的な説明をすることができる。半導体中のキャリアに関する考え方を理解することができる。
到達目標33種類の電気分極の機構について、定量的な説明をすることができる。3種類の電気分極の機構について、定性的な説明をすることができる。電気分極に関する考え方を理解することができる。
到達目標4原子の磁気モーメントや伝導電子を考慮して、磁性の発現機構について定量的に説明できる。磁性の発現機構について、定性的な説明をすることができる。磁性に関する考え方を理解することができる。

Assigned Department Objectives

C-1 See Hide

Teaching Method

Outline:
 身の回りの様々な物質、また製造業で使われる材料が示す物理的・化学的な諸物性のほとんどは、物質中の電子の振る舞いに起因したものである。本講義は量子力学を出発点として、最も基本的な性質について述べていき、将来のより発展した学修のための基礎を身に着けることを目的としている。
Style:
 講義形式で授業を行っていく。内容としては、先ず量子力学の基礎的な事柄を学んだ後、エネルギーバンド構造と半導体を学び、その後誘電体、磁性体へと進んでいく。この科目は学修単位科目のため、事前事後学習としてレポート等を実施します。【授業時間30時間+自学自習時間60時間】
Notice:
 本講義を履修するためには、微分方程式や線形代数に関する知識が不可欠です。また、内容が多いため、講義中に演習問題を解く時間が無く、演習は課題として提出してもらいます。

Characteristics of Class / Division in Learning

Active Learning
Aided by ICT
Applicable to Remote Class
Instructor Professionally Experienced

Course Plan

Theme Goals
2nd Semester
3rd Quarter
1st 物質の粒子性と波動性、不確定性原理 物質の粒子性と波動性、及び不確定性原理について説明できる。
2nd 井戸型ポテンシャルの波動関数 1次元井戸型ポテンシャルにおけるシュレーディンガー方程式の解を求めることができる。
3rd トンネル効果 1次元系において、矩形のポテンシャル障壁におけるトンネル確率を求めることができる。
4th 水素原子のエネルギー準位 クーロンポテンシャルにおけるシュレーディンガー方程式の解が、3つの量子数で表されることを理解できる。
5th 金属の自由電子論 変数分離法により、3次元系の自由電子の波動関数、及び状態密度を求めることができる。
6th フェルミ・ディラック分布関数 フェルミ・ディラック分布関数について説明できる。
7th 金属の電子密度分布とフェルミレベル 電子密度とフェルミレベル、フェルミ波数、フェルミ温度との関係を導くことができる。
8th 中間試験
4th Quarter
9th 周期ポテンシャルにおけるエネルギー分散 クローニッヒ・ペニーのモデルにおけるエネルギー分散の様子について理解できる。
10th 結晶内における電子の運動とバンド理論 効質量、及びバンド理論の考え方について理解できる。
11th 真性半導体 電子密度・正孔密度の温度依存性を導出できる。
12th 不純物半導体 n型・p型半導体の特徴について説明できる。
13th 誘電体 電子分極、イオン分極、配向分極について理解できる。
14th 原子の磁気モーメント 軌道磁気モーメントとスピン磁気モーメントについて説明できる。
15th 磁性体の分類 常磁性、反磁性、強磁性、反強磁性の特徴について理解できる。
16th 期末試験返却

Evaluation Method and Weight (%)

定期試験小テストポートフォリオ発表・取り組み姿勢その他Total
Subtotal8002000100
基礎的能力300100040
専門的能力500100060
分野横断的能力000000