| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
半導体の特性 | 半導体のキャリアを計算するための基本式を導出し、この式を用いて半導体のきゃるや密度の変化を説明することが出来る。 | 半導体のキャリアを計算するための基本式について説明することが出来る。 | 半導体のキャリアを計算するための基本式について説明することが出来ない。 |
PN接合の特性 | ダイオードの電圧電流特性を求めるための基本式を導出し、それを用いてダイオードの動作を説明できる。 | 式を用いてダイオードの動作について説明することが出来る。 | 式を用いてダイオードの動作について説明することが出来ない。 |
トランジスター | トランジスタの動作をベース領域のキャリヤ分布から説明でき、トランジスタの動作パラメータを算出できる。 | トランジスタの動作をベース領域のキャリヤ分布から説明できる。 | トランジスタの動作をベース領域のキャリヤ分布から説明できない。 |