到達目標
専門的な技術を習得し，同時に研究の方法を体験的に学び，研究態度を身に付ける。1 年間の研究計画を立て計画的に継続して研究を進め，自主性と自己を律して継続して研究する姿勢を身に付ける。また，研究を通して，問題発見能力や問題解決能力を培う。研究の経過及び研究論文の作成によって論述能力を磨く。卒業研究発表を通してプレゼンテーションの能力を磨く。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | | | |
| 評価項目2 | | | |
| 評価項目3 | | | |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
授業の進め方・方法:
指導教員との意思の疎通を図り，自主的に継続して，計画的に取り組む。
注意点:
この科目は指定科目です。この科目の単位修得が進級要件となりますので，必ず修得して下さい。
オフィスアワー：担当教員単独の開講科目を確認し打ち合わせを行ってください
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 前期 |
| 1stQ |
| 1週 |
VHDL を用いた回路の設計製作実験教材の開発 |
研究に関する基礎知識を身につけている
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| 2週 |
地域ニーズによるソフトウエア開発 |
研究計画を立案することができる
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| 3週 |
強化学習に関する研究 |
コミュニケーションを取りながら研究を遂行できる
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| 4週 |
ネットワーク電子掲示板を利用したコミュニケーションの実現について |
文献調査などの情報収集が出来る
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| 5週 |
赤外線スペクトルイメージングに関する研究 |
研究課程で生じた問題を解決できる
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| 6週 |
新しい眼底カメラ開発に関する研究 |
継続して研究に取り組むことができる
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| 7週 |
呼吸モニターに関する研究 |
研究内容を文章や口頭で論理的に説明できる
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| 8週 |
Sol-Gel 薄膜個体拡散源を用いた半導体デバイスの設計，製作，評価 |
情報機器を活用して報告書や資料を作成できる
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| 2ndQ |
| 9週 |
半導体デバイス極微裁可のための電子線リソグラフィーの基礎的研究 |
情報機器を活用して口頭発表ができる
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| 10週 |
CMOS-IC のピン浮き検出に関する研究 |
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| 11週 |
教育用電子回路設計環境の構築 |
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| 12週 |
光音響分光法（ＰＡＳ） |
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| 13週 |
窒素検出器の開発 |
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| 14週 |
ソフトウエアの開発 |
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| 15週 |
透明電極の作成と評価 |
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| 16週 |
有機薄膜とデバイスの作製と評価 |
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| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
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| 2週 |
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| 3週 |
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| 4週 |
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| 5週 |
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| 6週 |
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| 7週 |
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| 8週 |
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| 4thQ |
| 9週 |
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| 10週 |
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| 11週 |
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| 12週 |
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| 13週 |
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| 14週 |
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| 15週 |
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| 16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |