| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| なぜ大規模集積化への努力がなされるのか説明できる。
| なぜ大規模集積化への努力がなされるのかを理解し、説明できる。
| なぜ大規模集積化への努力がなされるのか、概ね説明できる。
| なぜ大規模集積化への努力がなされるのか説明できない。
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| MOS トランジスタを用いた集積回路のプロセスフローを説明できる。
| MOS トランジスタを用いた集積回路のプロセスフローを理解し、説明できる。
| MOS トランジスタを用いた集積回路のプロセスフローを概ね説明できる。
| MOS トランジスタを用いた集積回路のプロセスフローを説明できない。
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| 与えられた課題について資料収集し報告書にまとめることができる。
| 与えられた課題について資料収集し報告書にまとめることができる。
| 与えられた課題について資料収集し報告書にまとめることができる。
| 与えられた課題について資料収集し報告書にまとめることができない。
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| 集積回路内に作製された能動，受動素子について構造や特性を説明できる。
| 集積回路内に作製された能動，受動素子について構造や特性を理解し、説明できる。
| 集積回路内に作製された能動，受動素子について構造や特性を概ね説明できる。
| 集積回路内に作製された能動，受動素子について構造や特性を説明できない。
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| PN接合やﾊﾞｲﾎﾟｰﾗﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ及びMOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの諸特性についての簡単な計算ができる。
| PN接合やﾊﾞｲﾎﾟｰﾗﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ及びMOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの諸特性について理解し、その簡単な計算ができる。
| PN接合やﾊﾞｲﾎﾟｰﾗﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ及びMOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの諸特性についての簡単な計算が概ねできる。
| PN接合やﾊﾞｲﾎﾟｰﾗﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ及びMOSﾄﾗﾝｼﾞｽﾀの諸特性についての簡単な計算ができない。
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| C-MOS トランジスタの動作を説明できる。
| C-MOS トランジスタの動作を理解し、説明できる。
| C-MOS トランジスタの動作を概ね説明できる。
| C-MOS トランジスタの動作を説明できない。
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| C-MOS トランジスタの省電力のメカニズムを説明できる。
| C-MOS トランジスタの省電力のメカニズムを理解し、説明できる。
| C-MOS トランジスタの省電力のメカニズムを概ね説明できる。
| C-MOS トランジスタの省電力のメカニズムを説明できない。
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