半導体工学

1.半導体工業の歴史と集積回路の種類を説明できる。
2.pn接合とMOS構造の基本特性を説明できる。
3.ICの基本的な製造プロセス技術を説明できる。
4.IC内の基本的な回路素子の構造と設計方法を説明できる。

	理想的な到達レベルの目安	標準的な到達レベルの目安	未到達レベルの目安
半導体工業の歴史と集積回路の種類を説明できる。	半導体工業の歴史と集積回路の種類を理解して、集積回路技術の必然性を説明できる	半導体工業の歴史と集積回路の種類を説明できる	半導体工業の歴史と集積回路の種類を説明できない。
pn接合とMOS構造の基本特性を説明できる。	エネルギーバンド図を用いて、pn接合とMOS構造の基本特性を説明できる。	pn接合とMOS構造の基本特性を説明できる。	pn接合とMOS構造の基本特性を説明できない。
ICの基本的な製造プロセス技術を説明できる。	ICの製造プロセス技術、特に不純物拡散とエピタキシャル成長、SiO2と金属成膜技術について例を挙げて説明できる。	ICの基本的な製造プロセス技術を説明できる	ICの基本的な製造プロセス技術を説明できない
IC内の基本的な回路素子の構造と設計方法を説明できる。	IC内の回路素子の構造と設計方法をMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、抵抗、コンデンサ、インダクタに分けて例を挙げて説明できる。	IC内の基本的な回路素子の構造と設計方法を説明できる。	IC内の基本的な回路素子の構造と設計方法を説明できない

専門知識 (B) 説明

概要:

現在、集積回路（IC）は欠かすことのできない電子産業の中心的な存在である。本授業では、ICに関する概論的知識から始まり、素子構造と特性、製造プロセス、設計方法の基本的概念について解説する。

授業の進め方・方法:

教科書に沿って進め、重要点を板書して解説する。数値例題を解いて、現実的な大きさや形として理解できるようにする。

注意点:

電気主任技術者関連科目である。今まで授業で学んできた電子回路、論理回路、学生実験などで出てきた集積回路（IC）が、どのようにして作られているかを知ることにより、さらにこの分野に興味を持つことを期待する。

		週	授業内容	週ごとの到達目標
後期
	3rdQ
		1週	半導体工業の歴史と集積回路	1
		2週	集積回路の種類とパッケージ、モノリシック集積回路の必然性	1
		3週	p n接合とMOS構造（1）	2
		4週	p n接合とMOS構造（2）	2
		5週	p n接合とMOS構造（3）	2
		6週	シリコン単結晶とウェーハ、フォトレジスト加工	3
		7週	酸化と酸化膜の性質	3
		8週	後期中間試験	1,2,3
	4thQ
		9週	試験返却、熱拡散	3
		10週	熱拡散とイオン打込み	3
		11週	エピタキシャル成長とCVD技術、蒸着および配線の形成	3
		12週	半導体モノリシックICの構成素子(1)	4
		13週	半導体モノリシックICの構成素子(2)	4
		14週	半導体モノリシックICの構成素子(3)	4
		15週	半導体モノリシックICのパターン設計	4
		16週	学年末試験	3,4

分類		分野	学習内容	学習内容の到達目標	到達レベル	授業週