到達目標
１．半導体製造工程の概要について説明できる。
２．真空の基礎理論が説明できる。
３．プラズマの基礎理論が説明できる。
４．物理蒸着法の基本原理が説明できる。
５．エッチングの基本原理について説明できる。
６．フォトリソグラフィの概要について説明できる。
７．荷電粒子ビームの概要について説明できる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 半導体製造工程について詳しく説明できる。 | 半導体製造工程の概要について説明できる。 | 半導体製造工程の概要について説明できない。 |
| 評価項目2 | 真空の基礎理論に加えて応用技術が説明できる。 | 真空の基礎理論が説明できる。 | 真空の基礎理論が説明できない。 |
| 評価項目3 | プラズマの基礎理論に加えて応用技術が説明できる。 | プラズマの基礎理論が説明できる。 | プラズマの基礎理論が説明できない。 |
| 評価項目4 | 物理蒸着法の基本原理に加えて応用技術が説明できる。 | 物理蒸着法の基本原理が説明できる。 | 物理蒸着法の基本原理が説明できない。 |
| 評価項目5 | エッチングの基本原理に加えて応用技術が説明できる。 | エッチングの基本原理が説明できる。 | エッチングの基本原理が説明できない。 |
| 評価項目6 | フォトリソグラフィの概要について詳しく説明できる。 | フォトリソグラフィの概要について説明できる。 | フォトリソグラフィの概要について説明できない。 |
| 評価項目7 | 荷電粒子ビームの概要に加えて応用技術が説明できる。 | 荷電粒子ビームの概要について説明できる。 | 荷電粒子ビームの概要について説明できない。 |
学科の到達目標項目との関係
専門知識 (B)
説明
閉じる
問題解決能力 (C)
説明
閉じる
教育方法等
概要:
近年，ハイブリッド車や電気自動車の生産増加に伴って半導体の需要が伸びている。半導体の生産シェアは海外に譲ったものの、半導体製造装置の技術力は現在でも日本がリードする分野が多い。日本の半導体産業にとっては真空やプラズマ技術およびその応用を学んだ機械系エンジニアの育成が重要であり、本講義では半導体製造技術全般の基礎知識の習得を目指す。
授業の進め方・方法:
配布テキストを参照しながら講義形式で行う。
注意点:
機械系の学生にとってはなじみのない分野ですが、それぞれの要素技術は他分野でも幅広く利用されています。原子やイオンが真空中でどんな運動や役割をするかイメージできるように学んでください。
なお、授業計画は学生の理解度に応じて変更する場合があります。
本科目の区分
授業の属性・履修上の区分
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
ガイダンス，半導体製造工程 |
1
|
| 2週 |
真空と状態方程式，気体の圧力と内部エネルギー |
2
|
| 3週 |
気体分子速度，平均自由行程 |
2
|
| 4週 |
真空中での気体の流れ，真空装置 |
2
|
| 5週 |
演習 |
2
|
| 6週 |
プラズマとは |
3
|
| 7週 |
電子と気体分子との衝突過程 |
3
|
| 8週 |
プラズマ装置 |
3
|
| 4thQ |
| 9週 |
演習 |
3
|
| 10週 |
真空蒸着法，スパッタリング法 |
4
|
| 11週 |
エッチング，フォトリソグラフィ |
5,6
|
| 12週 |
電子とイオン |
7
|
| 13週 |
イオンの発生とビーム形成 |
7
|
| 14週 |
ビーム輸送と操作 |
7
|
| 15週 |
期末試験 |
|
| 16週 |
まとめ |
|
モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | レポート・課題 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 50 | 0 | 0 | 50 | 0 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 専門的能力 | 50 | 0 | 0 | 50 | 0 | 0 | 100 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |