到達目標
【到達目標】
１． 半導体素子の働きを理解し，説明できる。
２． トランジスタなどの能動素子の扱い方を理解し，動作量を求めることができる。
３． 種々の電子回路の基本構成と動作原理を説明し，素子の値などを計算できる。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 半導体素子の働きを理解する。 | 半導体素子の働きを理解し，説明できる。 | 半導体素子の働きを説明できる。 | 半導体素子の働きを説明できない。 |
| 能動素子の取り扱いを理解し動作量を求める。 | トランジスタなどの能動素子の扱い方を理解し，動作量を求めることができる。 | トランジスタなどの能動素子の動作量を求めることができる。 | トランジスタなどの能動素子の動作量を求めることができない。 |
| 基本的な電子回路の動作を知り，素子値を求めることができる。 | 種々の電子回路の基本構成と動作原理を説明し，素子の値などを計算できる。 | 種々の電子回路の素子の値などを計算できる。 | 種々の電子回路の素子の値などを計算できない。 |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
集積回路や種々の電子応用装置において電子回路は基本技術として重要である。ここでは，電子回路の主要な構成要素であるダイオードやトランジスタなどの半導体デバイスの基礎知識，およびトランジスタを用いた増幅回路について学習する。これらの学習を通して，様々な電子回路の設計に取り組むことの出来る基礎能力を養うことを目標としている。
授業の進め方・方法:
教科書および配布資料を主として講義を行う。より講義内容を理解させるために練習問題を自主学習する演習を行うことで計算能力や知識の向上を図る。グループ学習も取り入れる。これにより自分の直面している問題を人に伝える能力や人の困りを理解する能力を育てる。
学修単位のため時間外に課題に取り組むことも必要です。
注意点:
【成績評価の方法・基準】
試験の成績80%，平素の学習状況（課題・小テスト・レポート等を含む）を20%の割合で総合的に評価する。学期毎の評価は中間と期末の各期間の評価の平均，学年の評価は前学期と後学期の評価の平均とする。なお，通年科目における後学期中間の評価は前学期中間，前学期末，後学期中間の各期間の評価の平均とする。技術者が身につけるべき専門基礎として，到達目標に対する達成度を試験等において評価する。
【事前・事後学習】
事前学習として教科書の該当部分（事前に説明）を読んだうえで指定のプリントに理解が難しかった部分を抜き出してまとめて授業に臨むこと。また，事後学習として授業内で指示した課題を提出すること。その課題とした演習問題については，周りの学生とデッスカッションするなど，自分なりの解答を提出をすること。
【履修上の注意】
2年の電気基礎，3年の電気回路I，機能性材料で学習した知識が必要。回路の立式には，キルヒホッフの法則の他各種電気回路の立式の知識が必要。回路の特性計算では，連立方程式の解法など数学の式操作技術が必要。
授業の属性・履修上の区分
授業計画
|
|
週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
半導体素子：ダイオード，トランジスタなどの半導体素子の構造と動作原理を学ぶ。 |
ダイオードの構造について説明できる。
|
| 2週 |
半導体素子：ダイオード，トランジスタなどの半導体素子の構造と動作原理を学ぶ。 |
ダイオードの構造について説明できる。
|
| 3週 |
半導体素子：ダイオード，トランジスタなどの半導体素子の構造と動作原理を学ぶ。 |
トランジスタの構造について説明できる。
|
| 4週 |
半導体素子：ダイオード，トランジスタなどの半導体素子の構造と動作原理を学ぶ。 |
トランジスタの構造について説明できる。
|
| 5週 |
電子回路の基礎：トランジスタなどの半導体素子を電子回路で取り扱うときに重要となる種々の等価回路についての考え方，安定指数，半導体素子を動作させるためのバイアスの方法について学ぶ。 |
トランジスタなどの半導体素子を電子回路で取り扱うときの等価回路の考え方について説明できる。
|
| 6週 |
電子回路の基礎：トランジスタなどの半導体素子を電子回路で取り扱うときに重要となる種々の等価回路についての考え方，安定指数，半導体素子を動作させるためのバイアスの方法について学ぶ。 |
トランジスタなどの半導体素子を電子回路で取り扱うときの等価回路を用い基本的な回路における計算ができる。
|
| 7週 |
電子回路の基礎：トランジスタなどの半導体素子を電子回路で取り扱うときに重要となる種々の等価回路についての考え方，安定指数，半導体素子を動作させるためのバイアスの方法について学ぶ。 |
半導体素子を動作させるためのバイアス方法について説明できる。
|
| 8週 |
電子回路の基礎：トランジスタなどの半導体素子を電子回路で取り扱うときに重要となる種々の等価回路についての考え方，安定指数，半導体素子を動作させるためのバイアスの方法について学ぶ。 |
半導体素子を動作させるためのバイアス値を計算できる。
|
| 4thQ |
| 9週 |
電子回路の基礎：トランジスタなどの半導体素子を電子回路で取り扱うときに重要となる種々の等価回路についての考え方，安定指数，半導体素子を動作させるためのバイアスの方法について学ぶ。 |
安定指数について説明ができ，安定指数を求めることができる。
|
| 10週 |
増幅回路の基礎：電子回路の重要な機能である増幅回路について，トランジスタやＦＥＴを用いた基本増幅回路の構成，これら増幅回路を等価回路に置き換えて動作量を求める考え方，トランジスタなどの静特性から動作量を求める考え方を学ぶ。 |
トランジスタなどの静特性から動作量の求め方を説明でき，導出することができる。
|
| 11週 |
増幅回路の基礎：電子回路の重要な機能である増幅回路について，トランジスタやＦＥＴを用いた基本増幅回路の構成，これら増幅回路を等価回路に置き換えて動作量を求める考え方，トランジスタなどの静特性から動作量を求める考え方を学ぶ。 |
トランジスタなどの静特性から動作量の求め方を説明でき，導出することができる。
|
| 12週 |
増幅回路の基礎：電子回路の重要な機能である増幅回路について，トランジスタやＦＥＴを用いた基本増幅回路の構成，これら増幅回路を等価回路に置き換えて動作量を求める考え方，トランジスタなどの静特性から動作量を求める考え方を学ぶ。 |
トランジスタやＦＥＴを用いた基本増幅回路を等価回路に置き換えることができ，動作量を求めることができる。
|
| 13週 |
増幅回路の基礎：電子回路の重要な機能である増幅回路について，トランジスタやＦＥＴを用いた基本増幅回路の構成，これら増幅回路を等価回路に置き換えて動作量を求める考え方，トランジスタなどの静特性から動作量を求める考え方を学ぶ。 |
トランジスタやＦＥＴを用いた基本増幅回路を等価回路に置き換えることができ，動作量を求めることができる。
|
| 14週 |
各種増幅回路：トランジスタやFETを用いた低周波増幅回路について基本構成や動作特性および周波数特性を求めるときの考え方などを学ぶ。 |
低周波増幅回路の動作原理について説明でき，動作特性および周波数特性を求めることができる。
|
| 15週 |
各種増幅回路：負帰還増幅回路の動作原理や動作特性を求めるときの基本的な考え方について学ぶ。 |
負帰還増幅回路の動作原理について説明できる。
|
| 16週 |
|
|
モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 課題・レポート | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 20 | 100 |
| 基礎的能力 | 25 | 0 | 25 |
| 専門的能力 | 50 | 20 | 70 |
| 分野横断的能力 | 5 | 0 | 5 |