到達目標
半導体集積回路のデバイス、プロセス、回路について、基本的な事項を理解する。
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 先端技術も含めた集積回路の概要の理解 | 先端技術も含めた集積回路の概要が説明できる | 半導体デバイスプロセスおよび評価技術に関して説明できる | 半導体デバイス関連の基礎事項の定性的説明ができない |
| 評価項目2 | | | |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
バイポーラデバイス、MOSデバイス動作原理から、デバイス技術、プロセス技術、アナログ集積回路、関連評価技術について講義を行う。
授業の進め方・方法:
適宜補助教材を配付しながら講義をすすめる。本科の半導体工学の内容を踏まえ、それらの集積回路応用に重点を置いて講義を進める。
注意点:
期末試験の成績に加え、レポートの提出状況、内容を加味し、総合的に評価し、６０点以上を合格とする。６０点未満の学生については、レポートで救済する。指定した教科書のページを事前に読んでおくこと
授業の属性・履修上の区分
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
pn接合デバイスの動作原理 |
pn接合デバイスの動作原理について説明できる
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| 2週 |
バイポーラトランジスタの動作原理 |
バイポーラトランジスタの動作原理について説明できる
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| 3週 |
M/S接合の基礎事項 |
M/S接合の基礎事項について説明できる
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| 4週 |
MOSダイオードの動作原理 |
MOSダイオードの動作原理について説明できる
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| 5週 |
MOSトランジスタの動作原理 |
MOSトランジスタの動作原理について説明できる
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| 6週 |
MOSトランジスタの静特性 |
MOSトランジスタの静特性の特徴について説明できる
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| 7週 |
インバーター回路 |
インバーター回路の動作原理について説明できる
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| 8週 |
増幅回路 |
増幅回路の動作原理について説明できる
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| 4thQ |
| 9週 |
MOSトランジスタの形成プロセスの概要 |
MOSトランジスタの形成プロセスの概要について説明できる
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| 10週 |
MOSトランジスタの形成プロセスの各論 |
MOSトランジスタの形成プロセスの各論について説明できる
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| 11週 |
先端プロセス技術の紹介 |
先端プロセス技術の紹介について説明できる
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| 12週 |
半導体関連物性評価技術 |
半導体関連物性評価技術について説明できる
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| 13週 |
半導体関連物性評価技術 |
半導体関連物性評価技術について説明できる
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| 14週 |
集積回路技術 |
集積回路技術について説明できる
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| 15週 |
集積回路技術 |
集積回路技術について説明できる
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| 16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 80 | 0 | 0 | 0 | 20 | 0 | 100 |
| 基礎的能力 | 40 | 0 | 0 | 0 | 10 | 0 | 50 |
| 専門的能力 | 40 | 0 | 0 | 0 | 10 | 0 | 50 |
| 分野横断的能力 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |