到達目標
ルーブリック
| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
| 評価項目1 | 先端技術も含めた集積回路の概要が説明できる | 半導体デバイスプロセスおよび評価技術に関して説明できる | 半導体デバイス関連の基礎事項の定性的説明ができない |
| 評価項目2 | | | |
学科の到達目標項目との関係
教育方法等
概要:
CMOS集積回路のデバイス動作原理から、デバイス技術、プロセス技術、関連評価技術について講義を行う。
授業の進め方・方法:
適宜補助教材を配付しながら講義をすすめる。本科の半導体工学、半導体デバイス工学の内容を踏まえ、それらの集積回路応用に重点を置いて講義を進める。
注意点:
60点以上を合格とする。再試は行わない。
授業計画
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週 |
授業内容 |
週ごとの到達目標 |
| 後期 |
| 3rdQ |
| 1週 |
pn接合デバイスの動作原理 |
pn接合デバイスの動作原理について説明できる
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| 2週 |
バイポーラトランジスタの動作原理 |
バイポーラトランジスタの動作原理について説明できる
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| 3週 |
M/S接合の基礎事項 |
M/S接合の基礎事項について説明できる
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| 4週 |
接合デバイス形成プロセスの概要と先端技術の紹介 |
接合デバイス形成プロセスの概要と先端技術の紹介について説明できる
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| 5週 |
MOSダイオードの動作原理 |
MOSダイオードの動作原理について説明できる
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| 6週 |
MOSトランジスタの動作原理 |
MOSトランジスタの動作原理について説明できる
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| 7週 |
MOSトランジスタの形成プロセスの概要 |
MOSトランジスタの形成プロセスの概要について説明できる
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| 8週 |
MOSトランジスタの形成プロセスの各論 |
MOSトランジスタの形成プロセスの各論について説明できる
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| 4thQ |
| 9週 |
先端プロセス技術の紹介 |
先端プロセス技術の紹介について説明できる
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| 10週 |
バックエンドプロセスの概要 |
バックエンドプロセスの概要について説明できる
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| 11週 |
バックエンドプロセス各論 |
バックエンドプロセス各論について説明できる
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| 12週 |
半導体関連物性評価技術 |
半導体関連物性評価技術について説明できる
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| 13週 |
半導体関連物性評価技術 |
半導体関連物性評価技術について説明できる
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| 14週 |
集積回路技術 |
集積回路技術について説明できる
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| 15週 |
集積回路技術 |
集積回路技術について説明できる
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| 16週 |
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モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標
| 分類 | 分野 | 学習内容 | 学習内容の到達目標 | 到達レベル | 授業週 |
| 専門的能力 | 分野別の専門工学 | 電気・電子系 | 電子工学 | 電子の電荷量や質量などの基本性質を説明できる。 | 3 | |
| エレクトロンボルトの定義を説明し、単位換算等の計算ができる。 | 3 | |
| 原子の構造を説明できる。 | 3 | |
| パウリの排他律を理解し、原子の電子配置を説明できる。 | 3 | |
| 結晶、エネルギーバンドの形成、フェルミ・ディラック分布を理解し、金属と絶縁体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 3 | |
| 金属の電気的性質を説明し、移動度や導電率の計算ができる。 | 3 | |
| 真性半導体と不純物半導体を説明できる。 | 3 | |
| 半導体のエネルギーバンド図を説明できる。 | 3 | |
| pn接合の構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてpn接合の電流―電圧特性を説明できる。 | 3 | |
| バイポーラトランジスタの構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。 | 3 | |
| 電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。 | 3 | |
評価割合
| 試験 | 発表 | 相互評価 | 態度 | ポートフォリオ | その他 | 合計 |
| 総合評価割合 | 90 | 0 | 0 | 0 | 0 | 10 | 100 |
| 基礎的能力 | 30 | 0 | 0 | 0 | 0 | 5 | 35 |
| 専門的能力 | 45 | 0 | 0 | 0 | 0 | 5 | 50 |
| 分野横断的能力 | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 15 |