オプトエレクトロニクス

科目基礎情報

学校 北九州工業高等専門学校 開講年度 平成31年度 (2019年度)
授業科目 オプトエレクトロニクス
科目番号 0088 科目区分 専門 / 選択
授業形態 授業 単位の種別と単位数 学修単位: 2
開設学科 生産デザイン工学専攻 対象学年 専2
開設期 前期 週時間数 2
教科書/教材 配布プリント
担当教員 福澤 剛,油谷 英明

目的・到達目標

1.光エレクトロニクスデバイスの原理・構造・使用方法などの特徴を説明できる。

ルーブリック

理想的な到達レベルの目安標準的な到達レベルの目安未到達レベルの目安
評価項目1光エレクトロニクスデバイスの原理・構造・使用方法などの特徴を説明できる。データシートを読み解くことができる。光エレクトロニクスデバイスの原理・構造・使用方法などの特徴を説明できる。光エレクトロニクスデバイスの原理・構造・使用方法のうち、いずれかが説明できない。
評価項目2
評価項目3

学科の到達目標項目との関係

専攻科課程教育目標、JABEE学習教育到達目標 SA① 説明 閉じる
専攻科課程教育目標、JABEE学習教育到達目標 SA② 説明 閉じる
専攻科課程教育目標、JABEE学習教育到達目標 SB① 説明 閉じる
専攻科課程教育目標、JABEE学習教育到達目標 SB② 説明 閉じる

教育方法等

概要:
各種受発光素子やレーザダイオードなど、半導体による光エレクトロニクスデバイスに関する原理・構造・使用方法などの特徴について学ぶ。
授業の進め方と授業内容・方法:
配布プリントを用いて授業を行う。
注意点:

授業計画

授業内容・方法 週ごとの到達目標
前期
1stQ
1週 半導体の基礎 半導体の基礎知識を確認する。
2週 半導体のエネルギーバンド図 直接・間接遷移型半導体の特徴とバンド図を理解する。
3週 化合物半導体 化合物半導体の種類と特徴を理解する。
4週 レーザの発振原理 反転分布、誘導放出等レーザ発振に必要な現象を理解する。
5週 同上
同上
6週 半導体レーザ 半導体レーザの発振原理を理解する。
7週 半導体レーザの回路 半導体レーザの回路を測定し、半導体レーザに対する理解を深める。
8週 中間試験
2ndQ
9週 答案返却、解説
10週 光ディスク 半導体レーザの応用機器の特徴を理解する。
11週 LED 各種LEDの特徴を理解する。
12週 ディスプレイ LCDディスプレイなどの特徴を理解する。
13週 各種受光素子 フォトダイオード、フォトトランジスタ、アバランシェフォトダイオード等の特徴を理解する。
14週 イメージセンサ CCDやCMOSイメージセンサの原理・特徴を理解する。
15週 期末試験
16週 答案返却、解説

評価割合

試験発表課題への取組態度ポートフォリオその他合計
総合評価割合70030000100
基礎的能力0000000
専門的能力70030000100
分野横断的能力0000000