パワーエレクトロニクスⅠ

科目基礎情報

学校 北九州工業高等専門学校 開講年度 平成31年度 (2019年度)
授業科目 パワーエレクトロニクスⅠ
科目番号 0063 科目区分 専門 / 必修
授業形態 授業 単位の種別と単位数 履修単位: 1
開設学科 生産デザイン工学科(電気電子コース) 対象学年 4
開設期 後期 週時間数 2
教科書/教材 電子デバイス工学 古川静二郎ほか著 森北出版
担当教員 加島 篤

到達目標

1.バイポーラトランジスタの動作原理と電気特性を説明できる。B①②、SB①
2.サイリスタなど電力制御用半導体素子の構造と動作原理、電気特性を説明できる。B①②、SB①
3.MOSFETの構造と動作原理、電気特性を説明できる。B①②、SB①

ルーブリック

理想的な到達レベルの目安標準的な到達レベルの目安未到達レベルの目安
評価項目1固体中の電子の振る舞いから金属や半導体の電気特性とその温度依存性を説明できる固体中の電子の振る舞いから金属や半導体の電気特性を説明できる金属や半導体の電気特性を説明できない
評価項目2ドリフトや拡散によるキャリアの動きやバンド構造を用いてpn接合の電気特性を説明できるバンド構造を用いてpn接合の電気特性を説明できるバンド構造を用いてpn接合の電気特性を説明できない
評価項目3バンド構造を用いてMOSFET等の半導体素子の構造と動作原理、実際の応用例を説明できるMOSFET等の半導体素子の構造と動作原理を説明できるMOSFET等の半導体素子の構造と動作原理を説明できない

学科の到達目標項目との関係

準学士課程の教育目標 B① 専門分野における工学の基礎を理解できる。
準学士課程の教育目標 B② 自主的・継続的な学習を通じて、専門工学の基礎科目に関する問題を解くことができる。
専攻科教育目標、JABEE学習教育到達目標 SB① 共通基礎知識を用いて、専攻分野における設計・製作・評価・改良など生産に関わる専門工学の基礎を理解できる。
専攻科教育目標、JABEE学習教育到達目標 SB② 自主的・継続的な学習を通じて、専門工学の基礎科目に関する問題を解決できる。

教育方法等

概要:
パワーエレクトロニクスの基礎として、電力制御用半導体素子の電気特性の理解を目的とする。
授業の進め方・方法:
電力制御用半導体を中心に、半導体素子の構造と動作原理、電気的特性を詳細に解説する。併せて、半導体素子の作製法や光半導体の構造と応用についても解説する。
注意点:

授業計画

授業内容 週ごとの到達目標
後期
3rdQ
1週 バイポーラトランジスタ バイポーラトランジスタの構造と動作原理を理解できる
2週 プレーナートランジスタの構造 プレーナートランジスタの構造を理解できる
3週 酸化膜とフォトリソグラフィー プレーナートランジスタの作製法を理解できる
4週 不純物拡散と集積回路 プレーナートランジスタの作製法を通じて集積回路の重要性を理解できる
5週 サイリスタの構造と電気特性 サイリスタの構造と特性を理解できる
6週 サイリスタの動作原理 サイリスタの動作原理をバンド構造とトランジスタモデルで理解できる
7週 サイリスタによる位相制御 サイリスタを用いた位相制御の仕組みを理解できる
8週 中間試験
4thQ
9週 接合型電界効果トランジスタの構造と動作原理 JFETの構造と動作原理を理解できる
10週 接合型電界効果トランジスタの特性と応用 JFETの特性と応用を理解できる
11週 MOS型電界効果トランジスタの構造と動作原理 MOSFETの構造と動作原理を理解できる
12週 MOS型電界効果トランジスタの特性と応用 MOSFETの特性と応用を理解できる
13週 光半導体(PD) PDの構造と動作原理、光センサーとしての応用を理解できる
14週 光半導体(LEDの構造と発光) LEDの構造と動作原理を理解できる
15週 光半導体(LEDとLDの特徴と応用) LEDとLDの特徴と応用例を理解できる
16週 定期試験

モデルコアカリキュラムの学習内容と到達目標

分類分野学習内容学習内容の到達目標到達レベル授業週
専門的能力分野別の専門工学電気・電子系分野電子回路FETの特徴と等価回路を説明できる。3後10,後12
電子工学バイポーラトランジスタの構造を理解し、エネルギーバンド図を用いてバイポーラトランジスタの静特性を説明できる。4後1,後2
電界効果トランジスタの構造と動作を説明できる。4後9,後11

評価割合

試験発表課題レポート態度ポートフォリオその他合計
総合評価割合90010000100
基礎的能力0000000
専門的能力90010000100
分野横断的能力0000000