| 理想的な到達レベルの目安 | 標準的な到達レベルの目安 | 未到達レベルの目安 |
評価項目1 | 量子力学の基礎を用いて半導体の電子挙動が解析でき、波動方程式を用いて半導体中の電子挙動が解析ができる。 | 量子力学の基礎を用いて半導体の電子挙動がおおまかに解析でき、波動方程式を用いて半導体中の電子挙動が解析がおおよそできる。 | 量子力学の基礎を用いて半導体の電子挙動が解析できず、波動方程式を用いて半導体中の電子挙動が解析ができない。 |
評価項目2 | PN接合ダイオードおよびトランジスタ中の電子の動作が定量的に解析ができる。 | PN接合ダイオードおよびトランジスタ中の電子の動作が定量的に解析がおおよそできる。 | PN接合ダイオードおよびトランジスタ中の電子の動作が定量的に解析ができない。 |
評価項目3 | 簡単な半導体デバイスの設計ができ、ICやLSIの製造方法が説明できる。 | 簡単な半導体デバイスの設計がおおまかにでき、ICやLSIの製造方法がおおよそ説明できる。 | 簡単な半導体デバイスの設計ができず、ICやLSIの製造方法が説明できない。 |